[發(fā)明專利]一種基于仿真技術(shù)的半導(dǎo)體器件TDDB失效測試方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410418580.6
• 申請日: 2014-08-22
• 公開（公告）號: CN104182582A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張華
• 申請（專利權(quán)）人: 中國航空綜合技術(shù)研究所
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 中國航空專利中心 11008
• 代理人: 李建英

1.一種基于仿真技術(shù)的半導(dǎo)體器件TDDB失效測試方法，，其特征在于：該方法的步驟為：

步驟一：收集器件的已知信息，包括：

a)器件內(nèi)部晶體管級電路圖；

b)器件內(nèi)部晶體管柵氧化層擊穿激活能、電場擊穿系數(shù)和電場加速因子；

c)器件內(nèi)部晶體管柵氧化層厚度；

d)器件內(nèi)部晶體管溝道設(shè)計(jì)長度、有效寬度、源區(qū)面積、漏區(qū)面積等信息；

e)器件生產(chǎn)商提供的器件典型應(yīng)用電路，該器件典型應(yīng)用電路包括激勵(lì)源和負(fù)載；

步驟二：基于Synopsys公司的Saber軟件平臺，依據(jù)步驟一d)項(xiàng)中器件內(nèi)部晶體管參數(shù)信息，利用參量化模板建模方法建立器件內(nèi)部每一個(gè)晶體管的EDA模型(1)；

步驟三：基于Synopsys公司的Saber軟件平臺，依據(jù)步驟一a)項(xiàng)中器件的內(nèi)部電路圖，利用步驟二中已建立的每一個(gè)晶體管EDA模型，搭建器件的晶體管級EDA系統(tǒng)模型(2)；

步驟四、基于Synopsys公司的Saber軟件平臺，依據(jù)步驟一e)項(xiàng)中的器件典型應(yīng)用電路建立步驟三中搭建起來的器件晶體管級EDA系統(tǒng)模型(2)的仿真測試電路，即將器件的激勵(lì)源(3)和負(fù)載(4)連接到器件晶體管級EDA系統(tǒng)模型(2)對應(yīng)的管腳上；

步驟五、基于Synopsys公司的Saber軟件平臺，用器件晶體管級EDA系統(tǒng)模型(2)的仿真測試電路進(jìn)行穩(wěn)態(tài)仿真測試和瞬態(tài)仿真測試，得到器件晶體管級EDA系統(tǒng)模型(2)中晶體管柵極的電壓仿真值；

步驟六、將步驟一中b)項(xiàng)的晶體管柵氧化層擊穿激活能、電場擊穿系數(shù)和電場加速因子，c)項(xiàng)的晶體管柵氧化層厚度以及步驟五得到的晶體管柵極的電壓仿真值代入到美國馬里蘭大學(xué)Calce?Fast軟件TDDB失效E模型中，計(jì)算器件內(nèi)部晶體管的TDDB失效時(shí)間，將其中最短的失效時(shí)間視為該器件的失效壽命。