[發明專利]一種基于仿真技術的半導體器件TDDB失效測試方法

在審

• 申請號: 201410418580.6
• 申請日: 2014-08-22
• 公開（公告）號: CN104182582A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 張華
• 申請（專利權）人: 中國航空綜合技術研究所
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 中國航空專利中心 11008
• 代理人: 李建英

1.一種基于仿真技術的半導體器件TDDB失效測試方法，，其特征在于：該方法的步驟為：

步驟一：收集器件的已知信息，包括：

a)器件內部晶體管級電路圖；

b)器件內部晶體管柵氧化層擊穿激活能、電場擊穿系數和電場加速因子；

c)器件內部晶體管柵氧化層厚度；

d)器件內部晶體管溝道設計長度、有效寬度、源區面積、漏區面積等信息；

e)器件生產商提供的器件典型應用電路，該器件典型應用電路包括激勵源和負載；

步驟二：基于Synopsys公司的Saber軟件平臺，依據步驟一d)項中器件內部晶體管參數信息，利用參量化模板建模方法建立器件內部每一個晶體管的EDA模型(1)；

步驟三：基于Synopsys公司的Saber軟件平臺，依據步驟一a)項中器件的內部電路圖，利用步驟二中已建立的每一個晶體管EDA模型，搭建器件的晶體管級EDA系統模型(2)；

步驟四、基于Synopsys公司的Saber軟件平臺，依據步驟一e)項中的器件典型應用電路建立步驟三中搭建起來的器件晶體管級EDA系統模型(2)的仿真測試電路，即將器件的激勵源(3)和負載(4)連接到器件晶體管級EDA系統模型(2)對應的管腳上；

步驟五、基于Synopsys公司的Saber軟件平臺，用器件晶體管級EDA系統模型(2)的仿真測試電路進行穩態仿真測試和瞬態仿真測試，得到器件晶體管級EDA系統模型(2)中晶體管柵極的電壓仿真值；

步驟六、將步驟一中b)項的晶體管柵氧化層擊穿激活能、電場擊穿系數和電場加速因子，c)項的晶體管柵氧化層厚度以及步驟五得到的晶體管柵極的電壓仿真值代入到美國馬里蘭大學Calce?Fast軟件TDDB失效E模型中，計算器件內部晶體管的TDDB失效時間，將其中最短的失效時間視為該器件的失效壽命。