[發(fā)明專利]一種生物質(zhì)基自崩解型放射性污染去污劑的制備及使用方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410418043.1 | 申請日: | 2014-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN104178027A | 公開(公告)日: | 2014-12-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林曉艷;陳云霞;陳帥;羅學剛 | 申請(專利權(quán))人: | 西南科技大學 |
| 主分類號: | C09D197/00 | 分類號: | C09D197/00;C09D105/08;C08H7/00;B05D7/24 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 周慶佳 |
| 地址: | 621010 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 生物 崩解 放射性 污染 去污劑 制備 使用方法 | ||
1.一種生物質(zhì)基自崩解型放射性污染去污劑的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟a、以木質(zhì)素磺酸鹽和甲醛為原料,并讓二者通過羥甲基化反應制得改性木質(zhì)素磺酸鹽,然后將3~7重量份的改性木質(zhì)素磺酸鹽溶解在體積百分濃度為20%~80%的有機溶劑水溶液中制得質(zhì)量體積百分濃度為3%~7%的改性木質(zhì)素磺酸鹽溶液;
步驟b、在40~60℃下,伴隨加熱攪拌將0.7~1.4重量份的殼聚糖溶解在質(zhì)量百分濃度為1%~5%的稀酸中制得質(zhì)量百分濃度為2%~4%的殼聚糖溶液;
步驟c、將改性木質(zhì)素磺酸鹽溶液和殼聚糖溶液在常溫下按體積比1:1~2的比例混合,并加入質(zhì)量體積百分濃度為0.5%~1.5%的陰離子表面活性劑和質(zhì)量體積百分濃度為1%~3%的絡合劑,置于攪拌設備中攪拌10~30min,然后經(jīng)超聲波脫泡處理5~10min制得去污劑。
2.如權(quán)利要求1所述的生物質(zhì)基自崩解型放射性污染去污劑的制備方法,其特征在于,所述步驟a中,所述木質(zhì)素磺酸鹽采用木質(zhì)素磺酸鈉、木質(zhì)素磺酸鈣和木質(zhì)素磺酸鎂中的一種。
3.如權(quán)利要求1所述的生物質(zhì)基自崩解型放射性污染去污劑的制備方法,其特征在于,所述步驟a中,所述有機溶劑采用甲醇、乙醇、乙二醇、丙二醇、正丁醇、正己醇、二氧六環(huán)中的一種。
4.如權(quán)利要求1所述的生物質(zhì)基自崩解型放射性污染去污劑的制備方法,其特征在于,所述步驟b中,所述攪拌的攪拌速度為800~1200r/min。
5.如權(quán)利要求1所述的生物質(zhì)基自崩解型放射性污染去污劑的制備方法,其特征在于,所述步驟b中,所述稀酸采用甲酸、醋酸、丙烯酸、乳酸、環(huán)烷酸、苯甲酸、鹽酸中的一種。
6.如權(quán)利要求1所述的生物質(zhì)基自崩解型放射性污染去污劑的制備方法,其特征在于,所述步驟c中,所述陰離子表面活性劑采用十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基磺酸鈉中的一種或其混合物。
7.如權(quán)利要求1所述的生物質(zhì)基自崩解型放射性污染去污劑的制備方法,其特征在于,所述步驟c中,所述絡合劑采用檸檬酸鈉、乙二胺四乙酸二鈉、乙二胺四乙酸四鈉、海藻酸鈉中的一種或幾種。
8.如權(quán)利要求7所述的生物質(zhì)基自崩解型放射性污染去污劑的制備方法,其特征在于,所述步驟c中,所述攪拌設備采用磁力攪拌器,且攪拌速度在1200~1500r/min。
9.一種基于權(quán)利要求1-8任一項所述的生物質(zhì)基自崩解型放射性污染去污劑的制備方法所制備的去污劑的使用方法,其特征在于,將所述去污劑噴涂于受到放射性污染的材料表面,自然干燥10-20小時后成膜,所述膜自行崩解脫落,收集崩解碎片,完成去污過程。
10.如權(quán)利要求9所述的去污劑的使用方法,其特征在于,所述受到放射性污染的材料包括金屬、塑膠、玻璃、瓷磚、陶瓷和水泥中的一種。
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