[發明專利]熒光材料Zn2(hfoac)4(4,4-pybi)2及合成方法有效
| 申請號： | 201410418042.7 | 申請日： | 2014-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN104130773A | 公開（公告）日： | 2014-11-05 |
| 發明（設計）人： | 張淑華;趙儒霞;王娓;陳寧 | 申請（專利權）人： | 桂林理工大學 |
| 主分類號： | C09K11/06 | 分類號： | C09K11/06;C07F3/06 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 541004 廣*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熒光 材料 zn sub hfoac pybi 合成 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種熒光材料Zn2(hfoac)4(4,4-pybi)2(H2foac為4-氟水楊,4,4-pybi為4,4-聯吡啶)及合成方法。
背景技術
現代熒光材料歷經數十年的發展，己成為信息顯示、照明光源、光電器件等領域的支撐材料，為社會發展和技術進步發揮著日益重要的作用。特別是能源緊缺的現在，開發轉化效率高的熒光材料是解決能源緊缺問題方法之一。
發明內容
本發明的目的就是為設計合成熒光性質優異的功能材料，利用溶劑熱方法合成Zn2(hfoac)4(4,4-pybi)2。
本發明涉及的Zn2(hfoac)4(4,4-pybi)2的分子式為：C48H32F4N4O12Zn2分子量為：1063.56，H2foac為4-氟水楊酸，4,4-pybi為4,4-聯吡啶，晶體結構數據見表一,鍵長鍵角數據見表二。
表一：Zn2(hfoac)4(4,4-pybi)2的晶體學參數
表二：Zn2(hfoac)4(4,4-pybi)2的鍵長和鍵角(°)
表三：Zn2(hfoac)4(4,4-pybi)2的氫鍵鍵長和鍵角(°)
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