[發明專利]存儲單元可靠性的測試方法

有效

• 申請號: 201410418006.0
• 申請日: 2014-08-22
• 公開（公告）號: CN105448346B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 牛剛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種存儲單元可靠性的測試方法，所述存儲單元具有開啟擦除狀態的第一閾值電壓和開啟編程狀態的第二閾值電壓，其特征在于，所述存儲單元可靠性的測試方法至少包括：

預先設定一感知電壓；其中，所述感知電壓配置為大于所述第一閾值電壓、小于所述第二閾值電壓，且使所述存儲單元處于擦除狀態和編程狀態之間的中間狀態的標準電壓；

對所述存儲單元進行擦除或編程操作，讀取所述存儲單元的當前電壓；

比較所述當前電壓和所述感知電壓，在所述當前電壓大于所述感知電壓、小于所述第二閾值電壓時，所述存儲單元的當前工作狀態為編程狀態；在所述當前電壓小于所述感知電壓、大于所述第一閾值電壓時，所述存儲單元的當前工作狀態為擦除狀態；

判斷所述存儲單元的當前工作狀態與其所受的操作是否相符；若是，判定所述存儲單元正常工作；若否，則判定所述存儲單元失效。

2.根據權利要求1所述的存儲單元可靠性的測試方法，其特征在于，所述存儲單元可靠性的測試方法還包括：比較所述當前電壓和所述感知電壓，在所述當前電壓小于所述感知電壓、且小于所述第一閾值電壓時，或所述當前電壓大于所述感知電壓、且大于所述第二閾值電壓時，直接判定所述存儲單元失效。

3.根據權利要求1所述的存儲單元可靠性的測試方法，其特征在于，所述感知電壓適于通過測試N個已有存儲單元處于擦除狀態和編程狀態之間的中間狀態時的電壓均值來進行設定，其中，N為自然數；

其中，所述已有存儲單元處于擦除狀態和編程狀態之間的中間狀態時，如果對所述已有存儲單元進行擦除操作，所述已有存儲單元中產生漏電流，如果對所述已有存儲單元進行編程操作，所述已有存儲單元中無漏電流；

其中，所述已有存儲單元為具有高可靠性的與所述存儲單元采用相同工藝制備的以往生產的存儲單元良品。

4.根據權利要求1所述的存儲單元可靠性的測試方法，其特征在于，所述存儲單元可靠性的測試方法還包括：在對所述存儲單元進行擦除或編程操作之后，如果判定所述存儲單元正常工作，則進一步測試所述存儲單元可靠性，其測試方法至少包括：

預先分別設定所述存儲單元處于擦除狀態和編程狀態時的漏電流分布范圍；

對所述存儲單元進行擦除或編程操作，讀取所述存儲單元的當前漏電流，并判斷所述當前漏電流是否在所述存儲單元處于相應狀態時的漏電流分布范圍內；若是，所述存儲單元正常工作；若否，則所述存儲單元失效。

5.根據權利要求4所述的存儲單元可靠性的測試方法，其特征在于，所述存儲單元處于擦除狀態和編程狀態時的漏電流分布范圍，適于通過分別測試N個已有存儲單元處于擦除狀態和編程狀態時的漏電流分布范圍均值來進行設定；其中，N為自然數，所述已有存儲單元為具有高可靠性的與所述存儲單元采用相同工藝制備的以往生產的存儲單元良品。

6.根據權利要求1-5任一項所述的存儲單元可靠性的測試方法，其特征在于，對所述存儲單元進行編程操作時，向所述存儲單元施加編程電壓；其中，所述編程電壓為階躍脈沖電壓，所述編程電壓的各連續脈沖周期的脈沖幅值以相同的增量從小到大依次遞增，直到增至所述編程電壓的電壓值。

7.根據權利要求6所述的存儲單元可靠性的測試方法，其特征在于，所述增量適于根據實際測試中施加的所述編程電壓的電壓值，所需的最小脈沖幅值和脈沖周期值進行設定；其中，所需的最小脈沖幅值大于所述感知電壓的電壓值。

8.根據權利要求1-5任一項所述的存儲單元可靠性的測試方法，其特征在于，所述存儲單元可靠性的測試方法還包括：在所有步驟之前，對所述存儲單元進行擦除操作，以使所述存儲單元初始化。