[發(fā)明專利]一種核反應(yīng)堆安全殼內(nèi)涂層維修時機(jī)的評估方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410417823.4 | 申請日: | 2014-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN104157316A | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張忠偉;梁耀升;費(fèi)克勛;王水勇 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州熱工研究院有限公司;中國廣核集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號: | G21C17/00 | 分類號: | G21C17/00 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 項(xiàng)麗 |
| 地址: | 215004 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 核反應(yīng)堆 安全 涂層 維修 時機(jī) 評估 方法 | ||
1.一種核反應(yīng)堆安全殼內(nèi)涂層維修時機(jī)的評估方法,其特征在于,依次包括以下步驟:
(a)測定核反應(yīng)堆安全殼破口影響區(qū)面積S,并結(jié)合已知的四種涂層系統(tǒng)厚度H和密度ρ,根據(jù)公式(1)計(jì)算破口影響區(qū)潛伏涂層碎片質(zhì)量M1;
M1=ρ×S×H(1);
(b)對破口影響區(qū)外核反應(yīng)堆安全殼的四種涂層系統(tǒng)PIC100I、PIC151I?、PIC152I和PIC155I進(jìn)行目視檢查,隨后將檢查結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)涂層進(jìn)行對比確定所述四種涂層系統(tǒng)的不合格比例,分別對應(yīng)記為Pv0、Pv1、Pv2、Pv5;
(c)在破口影響區(qū)外所述四種涂層系統(tǒng)上,對目視檢查合格的涂層各選擇多個測試區(qū)域,每個測試區(qū)域選取至少六個測試點(diǎn),接著對所述測試點(diǎn)進(jìn)行打磨、除屑、用膠水粘上試柱,將所述試柱與測試儀連接進(jìn)行拉伸力測試,記錄測試結(jié)果,確定所述四種涂層系統(tǒng)的附著力不合格比例,分別對應(yīng)記為PA0、PA1、PA2、PA5;
(d)在去離子水中加入硼酸和NaOH配制成堿性緩沖液,將所述堿性緩沖液以1×10-4~1×10-3m3/?m2·s的流量在120~180℃下噴入裝有破口影響區(qū)外四種涂層系統(tǒng)試樣的容器內(nèi),連續(xù)噴淋24~50小時后置于溫度為23±2℃、相對濕度為50±5%的環(huán)境中至少2周,確定所述四種涂層系統(tǒng)的LOCA模擬測試不合格比例,分別對應(yīng)記為PL0、PL1、PL2、PL5;
(e)根據(jù)已知的四種涂層系統(tǒng)PIC100I、PIC151I?、PIC152I和PIC155I的質(zhì)量,分別記為MPIC100I、MPIC151I?、MPIC152I和MPIC155I,結(jié)合公式(2)分別計(jì)算破口影響區(qū)外潛伏碎片的總質(zhì)量M2;?
M2=MPIC100I×{[PV0+?PA0(1-PV0)]?+PL0[1-PV0-?PA0(1-PV0)]}+?MPIC151I×{[PV1+?PA1(1-PV1)]?+PL1[1-PV1-?PA1(1-PV1)]}+?MPIC152I×{[PV2+?PA2(1-PV2)]?+PL2[1-PV2-?PA2(1-PV2)]}+?MPIC155I{[PV5+?PA5(1-PV5)]?+PL5[1-PV5-?PA5(1-PV5)]}(2);
(f)對核反應(yīng)堆安全殼地坑進(jìn)行目視檢查,確定反應(yīng)堆機(jī)組正常運(yùn)行過程中脫落的合格涂層質(zhì)量M3;
(g)檢查核反應(yīng)堆機(jī)組型號,確定反應(yīng)堆臨界涂層碎片量XCCD和失水事故下生成的全部涂層碎片最大值Mmax;
(h)根據(jù)公式(3)計(jì)算逼近率γ,當(dāng)逼近率γ小于100%時,核反應(yīng)堆進(jìn)行常規(guī)的維修工作即可;當(dāng)逼近率γ大于100%時,停止核反應(yīng)進(jìn)行安全殼內(nèi)涂層的檢修;
(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述在失水事故下反應(yīng)堆廠房內(nèi)潛伏涂層碎片量的評估方法,其特征在于:所述老化檢測包括涂層的失光、開裂、剝落、起泡、粉化、變色、銹點(diǎn)和長霉性質(zhì)。
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