[發明專利]一種三輸入通用邏輯門電路在審
| 申請號: | 201410417709.1 | 申請日: | 2014-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN104270144A | 公開(公告)日: | 2015-01-07 |
| 發明(設計)人: | 應時彥;肖林榮;張楠楠;陳杰 | 申請(專利權)人: | 浙江工業大學 |
| 主分類號: | H03K19/20 | 分類號: | H03K19/20 |
| 代理公司: | 杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241 | 代理人: | 王利強 |
| 地址: | 310014 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 輸入 通用 邏輯 門電路 | ||
技術領域
本發明涉及納米電子技術領域,尤其是一種通用邏輯門電路。
背景技術
集成電路技術在過去的50多年里取得了驚人的進展,但功耗和互連線等問題將使得傳統CMOS(Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor)器件的特征尺寸縮減到其物理極限。特征尺寸由微米級縮減到納米級時,量子效應將占主導地位并可能使器件失效,因此在探索突破微電子物理極限的同時,科研人員提出了用單電子晶體管(SET,Single?Electron?Transistor)用以取代CMOS器件的研究方案,以期發展新的超大規模集成電路(VLSI,Very?Large?Scale?Integration)技術。
作為新一代納米電子器件的強有力競爭者,SET工作僅需要很少的電子,它具有極低的功耗(單個SET的功耗為pw級,比CMOS低了6、7個數量級)、超小的體積(nm級)和極高的開關速度(可以達到ns級)等特點,且其具有獨特的庫倫阻塞效應和庫倫臺階效應,相對于傳統的微電子器件具有絕對的優勢,具有很好的應用前景。
現有的通用邏輯門電路,通常采用CMOS器件構成,利用CMOS器件形成與非門和非門,存在的技術缺陷:體積較大、功耗較高、開關速度較慢。
發明內容
為了克服已有通用邏輯門電路的體積較大、功耗較高、開關速度較慢的不足,本發明提供一種納米級超小體積、超低功耗、極高的開關速度的三輸入通用邏輯門電路。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種三輸入通用邏輯門電路,所述電路包括第一二輸入與非門U1、第二二輸入與非門U4、第三二輸入與非門U5、第一非門U2和第二非門U3,所述第一二輸入與非門U1、第二二輸入與非門U4、第三二輸入與非門U5、第一非門U2和第二非門U3均由單電子晶體管組成;
第一二輸入與非門U1的第一輸入端和第一非門U2的輸入端相連后作為通用邏輯門電路的第一輸入端V1,第一二輸入與非門U1的第二輸入端作為通用邏輯門電路的第二輸入端V2,第一二輸入與非門U1的輸出端和第三二輸入與非門U5的第一輸入端相連;第一非門U2的輸出端和第二二輸入與非門U4的第一輸入端相連;第二非門U3的輸入端作為通用邏輯門電路的輸入端V3,第二非門U3的輸出端和第二二輸入與非門U4的第二輸入端相連;第二二輸入與非門U4的輸出端和第三二輸入與非門U5的第二輸入端相連;第三二輸入與非門U5的輸出端作為通用邏輯門電路的輸出端Vout。
進一步,所述第一二輸入與非門U1、第二二輸入與非門U4、第三二輸入與非門U5均采用二輸入與非門結構,二輸入與非門結構包括第一P型單電子晶體管、第二P型單電子晶體管、第一N型單電子晶體管和第二N型單電子晶體管,所述第一P型單電子晶體管的柵極和第一N型單電子晶體管的柵極相連后作為二輸入與非門的第一輸入端,所述第二P型單電子晶體管的柵極和第二N型單電子晶體管的柵極相連后作為二輸入與非門的第二輸入端,第一P型單電子晶體管的漏極與VDD連接,第二P型單電子晶體管的漏極懸空,第一P型單電子晶體管的的源極、第一P型單電子晶體管的源極和第一N型單電子晶體管的漏極相連后作為二輸入與非門的輸出端,第二N型單電子晶體管的源極接地。
再進一步,所述第一非門U2和第二非門U3均采用非門結構,所述非門結構包括第三P型單電子晶體管和第三N型單電子晶體管,第三P型單電子晶體管的柵極和第三N型單電子晶體管的柵極相連作為非門的輸入端,第三P型單電子晶體管的源極和第三N型單電子晶體管的漏極相連作為非門的輸出端,第三P型單電子晶體管的漏極懸空,第三N型單電子晶體管的源極接地。
本發明的技術構思為:本發明根據8種不同的輸入狀態可分別得到不同的輸出結果,即一個門電路可以實現多種不同的邏輯功能以滿足不同的需要。
所述二輸入與非門U1由兩個P型單電子晶體管(P-SET)和兩個N型單電子晶體管(N-SET)構成。所述非門U2由一個P-SET和一個N-SET構成。所述非門U3由一個P-SET和一個N-SET構成。所述二輸入與非門U4由兩個P-SET和兩個N-SET構成。所述二輸入與非門U5由兩個P-SET和兩個N-SET構成。
所述邏輯門電路具有超小體積(nm級)、超低功耗(pw級)和極高的開關速度(ns級)等特點,這些特點使得該邏輯門電路具有廣泛的應用范圍。
本發明的有益效果主要表現在:納米級超小體積、超低功耗、極高的開關速度。
附圖說明
圖1為三輸入通用邏輯門電路的示意圖。
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