[發明專利]鰭狀結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201410416418.0
• 申請日: 2014-08-22
• 公開（公告）號: CN105374871B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 黃南元;劉安淇
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種形成鰭狀結構的方法，其特征在于，包含:

在一基底上形成一第一鰭片及第二鰭片；

進行一第一蝕刻制作工藝，移除該第二鰭片的一部分；

進行一第二蝕刻制作工藝，移除該第二鰭片的另一部分，以在該第二鰭片形成不規則形狀；以及

進行一第三蝕刻制作工藝，移除該第二鰭片的再一部分，以形成一突狀物，其中該突狀物的高度小于該第一鰭片的高度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該第一鰭片還包含第一掩模層，位于該第一鰭片上，該第二鰭片還包含第二掩模層，位于該第二鰭片上。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，還包含:

在該基底上形成一有機介電層，該有機介電層覆蓋該第一鰭片及該第二鰭片；以及

移除該有機介電層覆蓋在該第二鰭片上的部分，并且移除該第二掩模層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在該第一蝕刻制作工藝中是利用一第一蝕刻劑，該第一蝕刻劑包含四氟化碳。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在該第二蝕刻制作工藝中是利用一第二蝕刻劑，該第二蝕刻劑對于該第二鰭片具有較高的蝕刻率。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，該第二蝕刻劑包含溴化氫、氯化氫或是溴化氫及氯化氫的組合物。

7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在該第三蝕刻制作工藝中是利用一第三蝕刻劑，該第三蝕刻劑與該第一蝕刻劑相同。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包含:

在進行該第一蝕刻制作工藝、該第二蝕刻制作工藝及該第三蝕刻制作工藝后形成一絕緣層，其中該絕緣層是形成在該第一鰭片與該突狀物之間，并覆蓋該突狀物，且該第一鰭片的一部分自該絕緣層中凸伸出。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，形成該絕緣層的步驟還包含:

在該基底上形成一絕緣材料，覆蓋該第一鰭片及該突狀物；以及

移除該絕緣材料的一部分，以形成該絕緣層。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，還包含:

形成一介電層，該介電層是位于該絕緣層與該第一鰭片之間，及位于該絕緣層與突狀物之間。