[發明專利]氧化物半導體TFT基板的制作方法及其結構

有效

• 申請號: 201410415944.5
• 申請日: 2014-08-21
• 公開（公告）號: CN104157611B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發明（設計）人: 王俊
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種氧化物半導體TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(1)，在該基板(1)上依次沉積并圖案化第一重度摻雜透明導電薄膜層與第一金屬層，形成柵極(3)、及位于該柵極(3)下表面并與該柵極(3)同樣形狀的第一重度摻雜透明導電薄膜層(2)；

步驟2、在所述柵極(3)與基板(1)上沉積柵極絕緣層(4)；

步驟3、在所述柵極絕緣層(4)上沉積并圖案化氧化物半導體層，形成位于所述柵極(3)正上方的島狀氧化物半導體層(5)；

步驟4、在所述島狀氧化物半導體層(5)與柵極絕緣層(4)上沉積并圖案化蝕刻阻擋層，形成位于所述島狀氧化物半導體層(5)上的島狀蝕刻阻擋層(6)；

所述島狀蝕刻阻擋層(6)的寬度小于所述島狀氧化物半導體層(5)的寬度；所述島狀蝕刻阻擋層(6)覆蓋島狀氧化物半導體層(5)的中間部(51)而暴露出島狀氧化物半導體層(5)的兩側部(53)；

步驟5、在所述島狀蝕刻阻擋層(6)與柵極絕緣層(3)上依次沉積并圖案化第二重度摻雜透明導電薄膜層、第二金屬層、與第三重度摻雜透明導電薄膜層，形成源/漏極(8)、位于該源/漏極(8)下表面并與該源/漏極(8)同樣形狀的第二重度摻雜透明導電薄膜層(7)、及位于該源/漏極(8)上表面并與該源/漏極(8)同樣形狀的第三重度摻雜透明導電薄膜層(9)；

所述源/漏極(8)借由第二重度摻雜透明導電薄膜層(7)與所述氧化物半導體層(5)的兩側部(53)接觸，形成電性連接；

步驟6、在所述第三重度摻雜透明導電薄膜層(9)與蝕刻阻擋層(6)上沉積并圖案化保護層(10)，形成位于所述島狀氧化物半導體層(5)一側的通孔(101)；

步驟7、在所述保護層(10)上沉積并圖案化像素電極層(11)；

所述像素電極層(11)填充所述通孔(101)，并借由所述第三重度摻雜透明導電薄膜層(9)與源/漏極(8)接觸，形成電性連接；

步驟8、對步驟7得到的基板(1)進行退火處理。

2.如權利要求1所述的氧化物半導體TFT基板的制作方法，其特征在于，所述柵極(3)與源/漏極(8)的材料為銅，所述像素電極層(11)的材料為ITO或IZO。

3.如權利要求1所述的氧化物半導體TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一重度摻雜透明導電薄膜層(2)、第二重度摻雜透明導電薄膜層(7)、與第三重度摻雜透明導電薄膜層(9)的材料為重度摻雜的ITO或重度摻雜的IZO。

4.如權利要求3所述的氧化物半導體TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一重度摻雜透明導電薄膜層(2)、第二重度摻雜透明導電薄膜層(7)、與第三重度摻雜透明導電薄膜層(9)的厚度分別在5～200nm之間。

5.如權利要求4所述的氧化物半導體TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一重度摻雜透明導電薄膜層(2)的厚度為10nm，所述第二重度摻雜透明導電薄膜層(7)的厚度為15nm，所述第三重度摻雜透明導電薄膜層(9)的厚度為10nm。

6.如權利要求1所述的氧化物半導體TFT基板的制作方法，其特征在于，所述島狀氧化物半導體層(5)為IGZO半導體層。

7.如權利要求1所述的氧化物半導體TFT基板的制作方法，其特征在于，所述保護層(10)的材料為SiO₂或SiON。

8.如權利要求1所述的氧化物半導體TFT基板的制作方法，其特征在于，所述圖案化通過黃光與蝕刻制程實現。