[發明專利]接觸槽的清潔工藝和接觸層的形成方法

有效

• 申請號: 201410415548.2
• 申請日: 2014-08-21
• 公開（公告）號: CN105448652B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 張琴;林藝輝;劉煥新
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 艾春慧,吳貴明

1.一種接觸槽的清潔工藝，其特征在于，所述清潔工藝包括如下步驟：

步驟S1：采用SC1清洗液清潔所述接觸槽的底部表面，移除所述底部表面的顆粒；

步驟S2：在所述步驟S1后，采用臭氧化去離子水清潔所述底部表面，氧化所述底部表面并在所述底部表面形成氧化物使所述底部表面趨于平滑；

步驟S3：在所述步驟S2后，采用SiCoNi預清工藝清潔所述底部表面，移除在所述步驟S2中形成的所述氧化物。

2.根據權利要求1所述的清潔工藝，其特征在于，在所述步驟S1中，所述SC1清洗液中各成分的體積比為NH₄OH：H₂O₂：H₂O＝1：1～4：50～200。

3.根據權利要求1所述的清潔工藝，其特征在于，在所述步驟S1中，采用的清洗溫度為室溫23℃至25℃。

4.根據權利要求1所述的清潔工藝，其特征在于，在所述步驟S1中，清洗持續的時間為30s至120s。

5.根據權利要求1所述的清潔工藝，其特征在于，在所述步驟S2中，所述臭氧化去離子水中O₃的濃度為10ppm至80ppm。

6.根據權利要求1所述的清潔工藝，其特征在于，在所述步驟S2中，采用的清洗溫度為室溫23℃至25℃。

7.根據權利要求1所述的清潔工藝，其特征在于，在所述步驟S2中，清洗持續的時間為30s至120s。

8.根據權利要求1所述的清潔工藝，其特征在于，在所述步驟S3中，所述氧化物的移除量為

9.一種接觸層的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括如下步驟：

步驟S20：對層間介質進行刻蝕以形成接觸槽；

步驟S40：在所述步驟S20后，采用根據權利要求1至8中任一項所述接觸槽的清潔工藝對所述接觸槽的底部表面進行清潔；

步驟S60：在所述步驟S40后，在所述接觸槽的底部表面上沉積第一金屬并形成金屬硅化物；

步驟S80：在所述步驟S60后，在所述接觸槽內沉積第二金屬以形成接觸層。

10.根據權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述步驟S60包括：

子步驟S62：在所述接觸槽的底部表面上沉積所述第一金屬；

子步驟S64：進行熱退火，形成金屬硅化物；

子步驟S66：去除未反應的所述第一金屬。

11.根據權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述第一金屬為NiPt或W。

12.根據權利要求10所述的形成方法，其特征在于，

所述子步驟S62中沉積的所述第一金屬為NiPt；

所述子步驟S64包括：分步驟S641，進行一次熱退火以生成Ni₂PtSi；分步驟S643，在所述分步驟S641后進行二次熱退火以生成NiPtSi金屬硅化物；

所述子步驟S66在所述分步驟S641和所述分步驟S643之間進行。

13.根據權利要求12所述的形成方法，其特征在于，

所述一次熱退火為低溫熱退火，低溫熱退火的溫度為230℃至300℃，退火時間為20s至40s；

所述二次熱退火為高溫熱退火，高溫熱退火的溫度為450℃至600℃，退火時間為20s至40s，或者所述二次熱退火采用激光退火，激光退火的溫度為800℃至900℃。

14.根據權利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述子步驟S66中，采用硫酸和雙氧水的混合物對所述第一金屬進行濕法剝離。