[發明專利]高壓LED芯片及其制備方法

無效

• 申請號: 201410414612.5
• 申請日: 2014-08-21
• 公開（公告）號: CN104134724A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 吳飛翔;李慶;晏平;陳立人
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種高壓LED芯片，其包括襯底、位于襯底上的GaN外延層、及位于外延層上的透明導電層、P電極及N電極，所述GaN外延層包括P型GaN外延層、發光層、及N型GaN外延層，P電極位于透明導電層上且通過透明導電層與P型GaN外延層電性連接，N型GaN外延層上設有N型半導體臺面，N電極位于N型半導體臺面上，其特征在于，所述GaN外延層之間通過離子注入形成有一個或多個絕緣的離子注入區，離子注入區上方形成有金線，所述GaN外延層和透明導電層通過金線電性導通。

2.根據權利要求1所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述離子注入區設置為一個，離子注入區將GaN外延層分隔成第一GaN外延層和第二GaN外延層。

3.根據權利要求2所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述第一GaN外延層和第二GaN外延層上分別設置有第一透明導電層和第二透明導電層，第一透明導電層上設置有P電極，第二透明導電層旁側的N型半導體臺面上設置有N電極。

4.根據權利要求3所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述第一透明導電層與第二透明導電層旁側的N型半導體臺面通過金線電性導通。

5.根據權利要求1所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述透明導電層下方還設置有電流阻擋層。

6.一種如權利要求1所述的高壓LED芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、提供一襯底，在襯底上生長GaN外延層，GaN外延層包括P型GaN外延層、發光層、及N型GaN外延層；

S2、在GaN外延層形成Mesa圖形，將Mesa圖形外的區域刻蝕至N型GaN外延層，形成N型半導體臺面；

S3、通過掩膜版對GaN外延層進行離子注入，形成一個或多個絕緣的離子注入區；

S4、在GaN外延層上形成透明導電層；

S5、在透明導電層上形成P電極，在N型半導體臺面上形成N電極；

S6、在離子注入區上方形成金線，GaN外延層和透明導電層通過金線電性導通。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中掩膜版為SiO₂或SiNx掩膜版，離子注入的離子為Si或B離子。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S5之前還包括：

采用PECVD進行SiO₂沉積，再通過光刻、刻蝕得到電流阻擋層。

9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述S4具體為：

采用電子束蒸發或磁控濺射沉積ITO薄膜，再通過光刻、刻蝕得到透明導電層。