[發明專利]晶圓缺陷掃描方法在審
| 申請號： | 201410414597.4 | 申請日： | 2014-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN104157589A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發明（設計）人： | 何理;許向輝 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 缺陷 掃描 方法 | ||
1.一種晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一晶圓，所述晶圓包括多個重復的芯片單元；
定義每一所述芯片單元的存儲區域和非存儲區域；
將各所述芯片單元中的所述存儲區域劃分為第一掃描區，各所述非存儲區域劃分為第二掃描區域；
執行兩次缺陷掃描，以第一光強的入射光掃描所述第一掃描區以獲得所述第一掃描區的缺陷，以小于該第一光強的第二光強的入射光掃描所述第二掃描區以獲得所述第二掃描區的缺陷；以及
將所述第一掃描區的缺陷和所述第二掃描區的缺陷合并。
2.根據權利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，以第一光強的入射光掃描所述第一掃描區以獲得所述第一掃描區的缺陷的步驟包括：
設置所述第一掃描區相應的第一缺陷閥值；
以所述第一光強的入射光掃描所述第一掃描區，獲得多個芯片單元的影像數據；以及
將相鄰芯片單元的影像數據進行比對并根據所述第一缺陷閥值獲得所述第一掃描區的缺陷。
3.根據權利要求2所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，以第二光強的入射光掃描所述第二掃描區以獲得所述第二掃描區的缺陷的步驟包括：
設置所述第二掃描區相應的第二缺陷閥值；
以所述第二光強的入射光掃描所述第二掃描區，獲得多個芯片單元的影像數據；以及
將相鄰芯片單元的影像數據進行比對并根據所述第二缺陷閥值獲得所述第二掃描區的缺陷。
4.根據權利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，還包括在執行兩次缺陷掃描前，將掃描機臺與所述晶圓對準的步驟。
5.根據權利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，所述非存儲區域包括邏輯運算區和空白區。
6.根據權利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，每一所述芯片單元的存儲區域為多個。
7.根據權利要求4所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，通過在所述晶圓上設置對準標記使所述掃描機臺與該晶圓對準。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
