[發(fā)明專利]一種原位自生高體積分?jǐn)?shù)Mg2Si增強(qiáng)Mg-Al基復(fù)合材料的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410414061.2
• 申請(qǐng)日: 2014-08-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104131190A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹健;馬修軍;周志堅(jiān);堯軍平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南昌航空大學(xué)
• 主分類號(hào): C22C1/03
• 分類號(hào): C22C1/03;C22C23/02;C22C23/00;C22C32/00
• 代理公司: 南昌洪達(dá)專利事務(wù)所 36111
• 代理人: 劉凌峰

1.一種原位自生Mg₂Si增強(qiáng)Mg-Al基復(fù)合材料的制備方法，應(yīng)用合金成分范圍為Mg-9Al-xSi（2＜x＜10)，其中鋁和硅含量都為質(zhì)量分?jǐn)?shù)，同時(shí)包括如下步驟：

第一步，按照Mg-9Al-xSi（2＜x＜10)的比例準(zhǔn)備鎂、鋁和硅粉原料；

第二步，將第一步的原料放入石墨坩堝由高頻感應(yīng)加熱熔煉，熔煉中，感應(yīng)爐功率逐漸將高頻感應(yīng)加熱電流由150安培增加至500安培，實(shí)現(xiàn)對(duì)原料的緩慢加熱，直至熔化，得到母合金錠；

第三步，將上述母合金錠放入石墨坩堝中，在電阻爐中重新加熱至復(fù)合材料中基體全完熔化，并將溫度升至一定溫度保溫?10?分鐘；

第四步，將第三步重新加熱后并裝有母合金的石墨坩堝置于脈沖磁場(chǎng)中，合金在脈沖磁場(chǎng)作用下凝固制得原位自生?Mg₂Si?增強(qiáng)?Mg-Al?基復(fù)合材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位自生Mg₂Si增強(qiáng)Mg-Al基復(fù)合材料的制備方法，第一步中，所述Mg、Al、Si元素純度大于99.9%，硅粉粒度不大于1毫米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位自生Mg₂Si增強(qiáng)Mg-Al基復(fù)合材料的制備方法，第二步中，所述熔煉過(guò)程維持在?50-60分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位自生Mg₂Si增強(qiáng)Mg-Al基復(fù)合材料的制備方法，第二步中，所述熔煉以及熔化在密封腔室中進(jìn)行，使用石墨坩堝，氣氛為純度大于99.99%的純氬氣氛，氣氛壓力為1個(gè)大氣壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位自生Mg₂Si增強(qiáng)Mg-Al基復(fù)合材料的制備方法，第三步中，所述加熱過(guò)程在氬氣保護(hù)下進(jìn)行，氣氛為氬純度大于99.99%的純氬氣氛，氣氛壓力為?1?個(gè)大氣壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位自生Mg₂Si增強(qiáng)Mg-Al基復(fù)合材料的制備方法，第三步中，所述一定溫度為?630℃?至?650℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位自生Mg₂Si增強(qiáng)Mg-Al基復(fù)合材料的制備方法，第四步中，所述凝固過(guò)程在脈沖磁場(chǎng)下進(jìn)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位自生Mg₂Si增強(qiáng)Mg-Al基復(fù)合材料的制備方法，第四步中，所述脈沖磁場(chǎng)的強(qiáng)度由電壓控制，所用電壓為?300?V；脈沖磁場(chǎng)的頻率為?5?至?25?赫茲；脈沖磁場(chǎng)作用時(shí)間為?2?至?4?分鐘。