[發明專利]一種全固態等離子體臨近耦合隱身天線陣及其控制方法

在審

• 申請號: 201410413660.2
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104241851A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 劉少斌;周永剛;陳鑫;陳琳;謝倩倩;余志洋;張博
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: H01Q1/52
• 分類號: H01Q1/52;H01Q21/00
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 楊曉玲

1.一種全固態等離子體臨近耦合隱身天線陣，其特征在于，包括固態等離子體天線單元(2)、上層介質基板(3)、微帶耦合饋線(4)、底層介質基板(5)、接地金屬板(6)；

所述固態等離子體天線單元(2)包括半導體等離子體單元(1)、等離子體單元控制芯片(7)、行控制線(8)和列控制線(9)；其中，半導體等離子體單元(1)由上至下依次包括絕緣層(10)、重摻雜P層(12)、低摻雜I層(11)、重摻雜N層(13)和絕緣層(10)，絕緣層(10)中間嵌有電極(14)；重摻雜P層(12)、低摻雜I層(11)和重摻雜N層(13)組合為PIN結構；

重摻雜P層(12)和重摻雜N層(13)通過電極(14)與行控制線(8)、列控制線(9)和等離子體單元控制芯片(7)相連。

2.如權利要求1所述的一種全固態等離子體臨近耦合隱身天線陣，其特征在于，所述固態等離子體天線單元(2)為圓形、正方形或長方形。

3.一種全固態等離子體臨近耦合隱身天線陣的控制方法，其特征在于，通過等離子體單元控制芯片(7)、電極(14)、行控制線(8)和列控制線(9)，對天線單元(2)上不同空間位置處的重摻雜P層(12)和重摻雜N層(13)實施饋電控制，在P-N電極正向偏壓情況下，激發低摻雜I層(11)，使半導體等離子體單元(1)工作于等離子狀態；通過外圍控制系統對編碼器和鎖存器的控制，實現對每一個半導體等離子體單元(1)中低摻雜I層(11)的控制；

通過激發不同位置的低摻雜I層(11)，實現固態等離子體天線單元(2)形狀的改變；通過改變固態等離子體天線單元(2)的偏移位置及相鄰固態等離子體天線單元(2)間的距離,控制天線單元的信號的幅度和相位，形成天線的方向圖重構，實現無慣性電掃描。