[發明專利]半導體器件的制造方法、程序及襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201410412612.1
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104752163B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 佐佐木隆史;山本哲夫
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;王大方

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，具有：

成膜工序，通過噴頭將成膜氣體和非活性氣體供給到處理室內的襯底上，并在所述襯底上形成膜；和

堆積膜除去工序，在所述處理室內沒有襯底的狀態下，將溫度比所述成膜工序時供給的所述非活性氣體低的非活性氣體供給到所述噴頭，由此除去因所述成膜工序而堆積在所述噴頭內的堆積膜。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述成膜工序中，通過設置在所述處理室中的第一排氣系統排出所述處理室內的環境氣體，

在所述堆積膜除去工序中實施如下工序：

第一排氣工序，通過設置在所述噴頭上的第二排氣系統排出所述噴頭內的環境氣體；和

第二排氣工序，在所述第一排氣工序之后，通過所述第一排氣系統排出所述處理室內的環境氣體。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述第一排氣工序中，所述處理室內的環境氣體流入所述噴頭內。

4.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述第二排氣工序中，所述噴頭內的環境氣體流入所述處理室內。

5.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述第一排氣工序中，所述第二排氣系統的排氣流量比所述第一排氣系統的排氣流量大。

6.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述第二排氣工序中，所述第一排氣系統的排氣流量比所述第二排氣系統的排氣流量大。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述非活性氣體供給系統具有加熱所述非活性氣體的氣體加熱部，

在所述成膜工序中，從所述非活性氣體供給系統向所述噴頭供給的非活性氣體被所述氣體加熱部加熱。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述堆積膜除去工序中，在停止了所述氣體加熱部的加熱的狀態下，從所述非活性氣體供給系統向所述噴頭供給非活性氣體。

9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述堆積膜除去工序中，從所述非活性氣體供給系統供給到所述噴頭的非活性氣體的流量比所述成膜工序中從所述非活性氣體供給系統供給到所述噴頭的非活性氣體的流量大。

10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述堆積膜除去工序中，從所述非活性氣體供給系統供給到所述噴頭的非活性氣體的供給開始時的流量比供給結束時的流量大。

11.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述堆積膜除去工序中，對噴頭內進行加熱。

12.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述第一排氣工序中，從與所述處理室連接的第二非活性氣體供給系統向所述處理室供給非活性氣體。