[發明專利]THz天線陣列的制作方法

有效

• 申請號: 201410412325.0
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104332718B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 梁松;朱洪亮
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01Q21/00
• 分類號: H01Q21/00;G02B6/125
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種THz天線陣列的制作方法，包括如下步驟：

1)選擇一襯底；

2)在襯底上依次生長緩沖層、無源波導層、光耦合層、折射率匹配層、光吸收層、包層和接觸層材料；

3)依次刻蝕接觸層、包層、光吸收層及折射率匹配層材料至光耦合層，刻蝕的形狀為四邊形結構，其為光混頻器波導；

4)在光混頻器波導上部的接觸層之上制作電極，在其兩側的光耦合層上制作電極；

5)刻蝕光耦合層，刻蝕深度至無源波導層形成楔形光耦合波導；

6)刻蝕無源波導層至緩沖層，形成1×N分光器、輸入波導及無源波導，形成基片；

7)在基片上制作THz天線，完成制備。

2.根據權利要求1所述的THz天線陣列的制作方法，其中所述無源波導層、光耦合層及折射率匹配層由具有單一折射率的材料構成或由多種具有不同折射率的材料構成，為不摻雜或n型摻雜，所述緩沖層為不摻雜或n型摻雜。

3.根據權利要求1所述的THz天線陣列的制作方法，其中所述光吸收層為不摻雜或p型摻雜材料，或為經過離子注入處理的材料。

4.根據權利要求1所述的THz天線陣列的制作方法，其中所述包層及接觸層的材料為不摻雜或p型摻雜。

5.根據權利要求1所述的THz天線陣列的制作方法，其中所述陣列天線單元數為N，N大于等于2。

6.根據權利要求1所述的THz天線陣列的制作方法，其中所述THz天線的兩臂分別與光混頻器波導之上的電極及其兩側的電極相連形成集總型天線或行波型天線。

7.根據權利要求1所述的THz天線陣列的制作方法，其中所述無源波導上制作有電極。