[發明專利]一種光探測器及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201410412322.7
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN105355772B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 狄重安;黃大真;焦飛;張鳳嬌;臧亞萍;徐偉;朱道本
• 申請（專利權）人: 中國科學院化學研究所
• 主分類號: H01L35/24
• 分類號: H01L35/24;H01L35/34
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司11245
• 代理人: 關暢

1.一種光熱電器件，包括襯底、活性層和電極；

其中，所述活性層位于所述襯底之上；

所述電極的個數至少為兩個，且所述電極均位于所述活性層之上，每個電極的面積均小于所述活性層的面積，且所述電極之間均不接觸；

構成所述活性層的材料的結構式如下：

其中：A為Na、K、Cu、C₁₄Me₃N或Bu₄N，Me＝-CH₃,Bu＝-(CH₂)₃CH₃)；

M＝Cu或Ni；

x為1-2，n＝100-10000。

2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于：所述襯底選自玻璃和柔性襯底的至少一種；

構成所述電極的材料選自金屬、合金、金屬氧化物、重摻雜半導體和導電聚合物中的任意一種；

其中，所述金屬為金、銀、鋁或銅；

所述合金材料為鎂銀合金、鉑金合金或鎳鋅合金；

所述金屬氧化物為氧化銦錫、二氧化錳或二氧化鉛；

所述重摻雜半導體為磷摻雜的硅、硼摻雜的硅或砷摻雜的硅；所述磷、硼或砷的摻雜質量百分濃度均為1-3％；

所述導電聚合物為聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩；其中，所述聚苯胺的數均分子量為450-10⁶；所述聚吡咯的數均分子量為300-10⁶；所述聚噻吩的數均分子量為400-10⁶。

3.根據權利要求2所述的器件，其特征在于：所述聚苯胺的數均分子量為20000；所述聚吡咯的數均分子量為20000；所述聚噻吩的數均分子量為20000。

4.根據權利要求1或2所述的器件，其特征在于：所述襯底的厚度為0.001-1000mm；

所述活性層的厚度為0.01-1000μm；

所述電極的厚度均為10-3000nm。

5.一種制備權利要求1-4任一所述器件的方法，包括如下步驟：

1)在所述襯底上制備活性層；

2)在所述活性層上制備至少兩個電極，并使每個電極的面積均小于所述活性層的面積，且所述電極之間均不接觸，得到所述器件。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：制備所述電極的方法均為真空熱蒸鍍、磁控濺射或等離子體增強的化學氣相沉積；

制備所述活性層的方法均為滴膜、噴墨打印、旋涂、提拉或蒸鍍。

7.權利要求1-4任一所述光熱電器件在光電探測中的應用。

8.根據權利要求7所述的應用，其特征在于：所述光電探測為紅外探測。

9.含有權利要求1-4任一所述光熱電器件的光電探測器。

10.根據權利要求9所述的光電探測器，其特征在于：所述光電探測器為紅外探測器。