[發(fā)明專利]太陽能吸收器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410412308.7
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104422188A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設計）人: 馬庫斯·貝倫特
• 申請（專利權）人: 馮·阿德納有限公司
• 主分類號: F24J2/48
• 分類號: F24J2/48;B32B9/04;B32B33/00;C23C14/35
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李楠;安翔

1.一種太陽能吸收器，其包括：經(jīng)覆層的或未經(jīng)覆層的基材(S)和布置在所述基材上的太陽能吸收器層系統(tǒng)(SASS)，所述太陽能吸收器層系統(tǒng)從所述基材(S)向上觀察具有吸收層系統(tǒng)(ASS)和覆蓋層系統(tǒng)(DSS)，其特征在于，所述吸收層系統(tǒng)(ASS)包括至少三個吸收層(UAS、MAS、OAS)：即下吸收層、至少一個中吸收層和上吸收層，其中的至少一個吸收層(UAS、MAS、OAS)具有0<x<2且0<y≤1的碳氧化鈦TiO_xC_y作為主要組分。

2.根據(jù)權利要求1所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述下吸收層(UAS)和/或所述上吸收層(OAS)具有0<x<2且0<y≤1的碳氧化鈦TiO_xC_y。

3.根據(jù)前述權利要求中任一所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述中吸收層(MAS)具有0≤x＜2的鈦氧化物TiO_x作為主要組分。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述中吸收層(MAS)的層厚小于所述下吸收層(UAS)和所述上吸收層(OAS)的層厚。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述下吸收層(UAS)的層厚小于所述上吸收層(OAS)的層厚。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述中吸收層(MAS)具有0≤x＜2的鈦氧化物TiO_x作為主要組分，所述中吸收層(MAS)的層厚小于所述下吸收層(UAS)和所述上吸收層(OAS)的層厚，并且，所述下吸收層(UAS)的層厚小于所述上吸收層(OAS)的層厚。

7.根據(jù)權利要求1或2所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述覆蓋層系統(tǒng)(DSS)由至少兩個子層(UDS、ODS)構建而成，其中，下覆蓋層(UDS)的折射率大于上覆蓋層(ODS)的折射率。

8.根據(jù)權利要求6所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述覆蓋層系統(tǒng)(DSS)由至少兩個子層(UDS、ODS)構建而成，其中，下覆蓋層(UDS)的折射率大于上覆蓋層(ODS)的折射率。

9.一種制造太陽能吸收器的方法，其特征在于，把根據(jù)前述權利要求的任意一項所述的太陽能吸收器層系統(tǒng)(SASS)的諸層相繼地沉積在經(jīng)覆層或未經(jīng)覆層的基材(S)上，其中，至少所述吸收層(UAS、MAS、OAS)的沉積憑借反應性磁控濺射進行。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，所述吸收層系統(tǒng)(ASS)的吸收層(UAS、MAS、OAS)由金屬靶濺射出。