[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410411663.2
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104576584B
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 劉乃瑋;洪瑞斌;林俊成
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導體器件，包括：

管芯；

焊盤，設置在所述管芯上并配置為通過連接在所述焊盤上的導電跡線與凸塊電連接；

聚合物，設置在所述管芯上方并被圖案化以提供用于所述導電跡線穿過的路徑；

模塑件，圍繞所述管芯和所述聚合物，其中，所述模塑件包括鄰近所述管芯的邊緣且設置在所述聚合物和所述管芯之間的突出部分；其中

所述模塑件的上表面與所述聚合物的上表面處于同一水平面上。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述模塑件的所述突出部分具有與所述聚合物的厚度相同的高度。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述模塑件的所述突出部分的所述高度是1μm到15μm。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述模塑件的所述突出部分從所述管芯的所述邊緣朝向所述聚合物延伸的長度是5μm到15μm。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述聚合物和所述模塑件的所述突出部分之間的成角度的界面的角度是30度到110度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括位于所述管芯和所述焊盤上方的鈍化層。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述模塑件包括鄰近所述管芯的邊緣且設置在所述鈍化層和所述管芯之間的延伸部。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述模塑件的從所述管芯的所述邊緣朝向所述鈍化層延伸的所述延伸部是2μm到6μm。

9.一種半導體器件，包括：

管芯；

焊盤，設置在所述管芯上并通過連接在所述焊盤上的導電材料與凸塊電連接；

第一聚合物，設置在所述管芯之上并被圖案化成具有位于所述焊盤之上的用于所述導電材料穿過的開口；

模塑件，圍繞所述管芯和所述第一聚合物，其中，所述模塑件包括鄰近所述管芯的邊緣且設置在所述第一聚合物和所述管芯之間的突出部分；

第二聚合物，設置在所述導電材料與所述第一聚合物之間及所述導電材料與所述模塑件之間；

其中，所述第一聚合物包括位于所述焊盤上方的第一凹部，所述第二聚合物包括位于所述焊盤上方的第二凹部，所述第一凹部圍繞所述第二凹部。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述第一聚合物的所述第一凹部比所述第二聚合物的所述第二凹部大。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述第一聚合物的所述第一凹部具有20μm到60μm的寬度。

12.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述第二聚合物的所述第二凹部具有10μm到20μm的寬度。

13.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述第一聚合物的所述第一凹部或所述第二聚合物的所述第二凹部是錐形結構。

14.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述第一聚合物與所述第二聚合物之間及所述模塑件與所述第二聚合物之間的第一平面界面平行于所述第二聚合物與所述導電材料之間的第二平面界面。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，進一步包括設置在所述導電材料上的凸塊下金屬。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，其中，所述導電材料和所述凸塊下金屬之間的第三平面界面平行于所述第一平面界面和所述第二平面界面。

17.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供管芯；

在所述管芯上形成焊盤；

在所述管芯上方設置第一聚合物；

將所述第一聚合物圖案化成具有位于所述焊盤上方的開口；

在所述圖案化的第一聚合物上方設置犧牲層；

圍繞所述管芯設置模塑件；

移除所述模塑件的部分從而露出所述犧牲層；

移除所述犧牲層從而露出所述焊盤和所述第一聚合物；

在所述第一聚合物上設置第二聚合物；

將所述第二聚合物圖案化成具有位于所述焊盤上方的開口；以及

在所述開口內的所述焊盤上設置導電材料。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，通過光刻操作對所述第一聚合物執行所述圖案化。

19.根據權利要求17所述的方法，其中，通過蝕刻操作移除所述犧牲層。