[發明專利]存儲器的存取方法有效

申請號：	201410411377.6	申請日：	2014-08-20
公開（公告）號：	CN105448321B	公開（公告）日：	2018-12-18
發明（設計）人：	張智翔	申請（專利權）人：	華邦電子股份有限公司
主分類號：	G11C11/16	分類號：	G11C11/16
代理公司：	隆天知識產權代理有限公司 72003	代理人：	李昕巍;趙根喜
地址：	中國臺灣臺***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	存儲器存取方法
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【說明書】：

本發明提供一種存儲器的存取方法。存儲器的存取方法包括：計算各字線地址的被存取次數；依據比較被存取次數與一臨界存取數以設定對應的各字線地址為侵害字線地址；以及設定備用字線地址，并利用備用字線地址的記憶胞來取代侵害字線地址的記憶胞。

技術領域

本發明是有關于一種存儲器的存取方法，且特別是有關于一種存儲器的降低字線沖擊效應(Row hammer effect)的方法。

背景技術

動態存儲器在特定的應用狀況下，會發生其中特定的字線(word line)需要被重復開啟很多次的情況。在這樣的情況下，鄰近被重復開啟很多次的字線的字線上的記憶胞就可能因為串音(cross talk)或耦合(coupling)效應而使所儲存的數據產生變異。上述的狀態被稱為字線沖擊效應(Row hammer effect)。

具體來說明，請參照圖1繪示的動態存儲器產生字線沖擊效應的示意圖。在當字線WLA在被兩次鄰近的刷新動作間被重復的多次的被開啟，與字線WLA相鄰的字線WLB以及WLC會因為字線WLA的重復開啟動作而產生記憶胞中的數據發生變異的現象。其中，字線WLB以及WLC可以被稱為受侵害(victim)的字線，而字線WLA則可以被稱為侵害(aggressor)字線。

在習知的技術領域中，常通過額外的重刷新(refresh)動作來解決上述的字線沖擊效應。這樣的作法在叢發式的重刷新動作是無法被實現的。另外，為配合所要進行的額外的重刷新動作，通常需要針對動態存儲器的使用規格進行變更，容易造成使用上的困難。

發明內容

本發明提供一種存儲器裝置及存儲器的存取方法，用以有效減低動態隨機存取存儲器中發生字線沖擊所可能造成的影響。

本發明的存儲器的存取方法，包括：計算各字線地址的被存取次數；依據比較被存取次數與一臨界存取數以設定對應的各字線地址為侵害字線地址；以及設定備用字線地址，并利用備用字線地址的記憶胞來取代侵害字線地址的記憶胞。

基于上述，本發明利用計算常用的字線的地址的被存取次數來判定字線的地址是否為侵害字線地址。并且，在當字線的地址被判定為侵害字線地址時，利用備用字線地址的記憶胞來取代侵害字線地址的記憶胞。如此一來，因字線沖擊效應所可能產生的數據錯誤的現象可以有效的被避免，提升存儲器儲存數據的可靠度。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。

附圖說明

圖1繪示的動態存儲器產生字線沖擊效應的示意圖。

圖2繪示本發明一實施例的存儲器的存取方法的流程圖。

圖3繪示的備用字線地址與侵害字線地址的取代動作的示意圖。

圖4A繪示的本發明實施例的數據復制動作示意圖。

圖4B繪示的本發明實施例的數據復制動作波形圖。