[發明專利]一種基于GaN的寬帶平衡功率放大器

在審

• 申請號: 201410411296.6
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104135241A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 鄒坤;唐余武;鄒明炳
• 申請（專利權）人: 無錫研奧電子科技有限公司
• 主分類號: H03F3/60
• 分類號: H03F3/60
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種基于GaN的寬帶平衡功率放大器，其特征在于，包括Lange耦合器、微帶傳輸線、Banding金絲線、濾波電感、穩定電阻以及GaN基HEMT組成；所述第一Lange耦合器（L1）的輸入端（1）與信號輸入端（IN）相連，該Lange耦合器（L1）的接地端（2）通過第一穩定電阻（R1）接地，該Lange耦合器（L1）的上輸出端（3）通過微帶傳輸線（TL）、Banding金絲線（Wire）與第一濾波電容（C1）相連，該Lange耦合器（L1）的下輸出端（4）通過微帶傳輸線（TL）、Banding金絲線（Wire）與第二濾波電容（C2）相連；所述的第一電容（C1）通過Banding金絲線（Wire）與第一GaN基HEMT（H1）的輸入端（1）相連，第一GaN基HEMT（H1）的接地端（3）接地，第一GaN基HEMT（H1）的輸出端（2）通過Banding金絲線（Wire）與第三濾波電容（C3）相連；所述第二電容（C2）通過Banding金絲線（Wire）與第二GaN基HEMT（H2）的輸入端（1）相連，第二GaN基HEMT（H2）的接地端（3）接地，第二GaN基HEMT（H2）的輸出端（2）通過Banding金絲線（Wire）與第三電容（C4）相連；所述的第三電容（C3）通過Banding金絲線（Wire）、微帶傳輸線（TL）與第2個Lange耦合器（L2）的上輸入端（1）相連，所述的第四電容（C4）通過Banding金絲線（Wire）、微帶傳輸線（TL）與第二Lange耦合器（L2）的下輸入端（2）相連，所述Lange耦合器（L2）的接地端（3）通過第二穩定電阻（R2）接地，該Lange耦合器（L2）的輸出端（4）與信號輸出端（OUT）相連。

2.如權利要求1所述的一種基于GaN的寬帶平衡功率放大器，其特征在于，該功率放大器的偏置電路包括T型接頭、微帶傳輸線、濾波電容、穩定電阻以及GaN基HEMT，所述的信號輸入端（RFIN）通過第五電容（C5）、微帶傳輸線（TL）、T型接頭（Tee）與GaN基HEMT（H）的輸入端（1）相連；所述的柵極電源（Vgs）通過第三穩定電阻（R3）、微帶傳輸線（TL）、T型接頭（Tee）與GaN基HEMT（H）的輸入端（1）相連；所述第六濾波電容（C6）、第七濾波電容（C7）和第八濾波電容（C8）分別接在柵極電源（Vgs）與地之間；所述的GaN基HEMT（H）的輸出端（2）通過T型接頭（Tee）、微帶傳輸線（TL）、第十二濾波電容（C12）與信號輸出端（RFOUT）相連；所述的漏極電源（Vds）通過微帶傳輸線（TL）、T型接頭（Tee）與GaN基HEMT（H）的輸出端（2）相連，GaN基HEMT（H）的接地端（3）接地，所述GaN基HEMT（H）的型號為NRF01-02a?HEMT管芯；所述的第九濾波電容（C9）、第十濾波電容（C10）和第十一濾波電容（C11）分別接在漏極電源（Vds）與地之間。

3.如權利要求1所述的一種基于GaN的寬帶平衡功率放大器，其特征在于，所述的微帶傳輸線（W）型號為100um的高阻抗微帶傳輸線；所述的第八濾波電容（C8）和第十濾波電容（C10）選用100pF電容，所述的第七濾波電容（C7）和第九濾波電容（C9）選用100uF電解電容，所述的第六濾波電容（C6）和第十一濾波電容（C11）選用100uF穿心電容；所述GaN基HEMT（H1、H2）的型號為NRF01-02a?HEMT管芯；所述Lange耦合器（L1、L2）選用特征阻抗為50Ω的四線3dB耦合Lange耦合器，該Lange耦合器（L1、L2）基于氧化鋁陶瓷基片設計。