[發明專利]一種GaN基凹柵增強型HEMT器件

在審

• 申請號: 201410410630.6
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104347700A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 謝剛;何志
• 申請（專利權）人: 佛山芯光半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種GaN基凹柵增強型HEMT器件，包括：?

襯底(100)，在襯底(100)上依次生長GaN本征層(200)和勢壘層(300)；?

鈍化層(400)，該鈍化層(400)位于勢壘層(300)上表面；?

凹形柵極(510)，該凹形柵極通過選擇性腐蝕形成；?

源極電極(411)，該源極電極(411)位于勢壘層(300)上表面部分區域；?

漏極電極(412)，該漏極電極(412)位于勢壘層(300)上表面部分區域；?

柵極電極(510)，該柵極電極(510)凹形柵極(500)的上方。?

2.如權利要求1所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件，其中襯底(100)的材料為GaN、藍寶石、Si、金剛石或SiC。?

3.如權利要求1所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件，其中勢壘層(300)的材料為AlN、InN、AlGaN、InGaN或者InAlN。?

4.如權利要求1所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件，其中凹形柵極(500)通過高溫化學反應的方法選擇性腐蝕勢壘層(300)形成。?

5.如權利要求1所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件，其源極電極(411)的材料為Si、Ti、Al、Ni、Mo、Pt、Pd、Au、W、TiW、TiN及它們之間的任意組合。?

6.如權利要求1所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件，其漏極電極(412)的材料為Si、Ti、Al、Ni、Mo、Pt、Pd、Au、W、TiW、TiN及它們之間的任意組合。?

7.如權利要求1所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件，其柵極電極(510)的材料為Si、Ti、Al、Ni、Mo、Pt、Pd、Au、W、TiW、TiN及它們之間的任意組合。?

8.一種GaN基凹柵增強型HEMT器件的制作方法，包括以下步驟：?

在襯底(100)上形成GaN本征層(200)，在GaN本征層(200)上形成勢壘層(300)，在勢壘層(300)上淀積鈍化層(400)；?

在鈍化層(400)上形成腐蝕窗口(401)；?

凹形柵極(500)，該凹型柵極通過高溫化學反應選擇性腐蝕勢壘層AlGaN(300)形成；?

在勢壘層(300)部分區域形成源極電極(411)；?

在勢壘層(300)部分區域形成漏極電極(412)?

在凹形柵極(500)的上表面區域形成柵極電極(510)。?

9.如權利要求8所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件的制作方法，其中襯底(100)的材料為GaN、藍寶石、Si、金剛石或SiC。?

10.如權利要求8所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件的制作方法，其中勢壘層(300)的材料為AlN、InN、AlGaN、InGaN或者InAlN。?

11.如權利要求8所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件的制作方法，其中凹型柵極(500)通過高溫化學方法選擇性腐蝕勢壘層(300)形成。?

12.如權利要求8所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件的制作方法，其源極電極(411)的材料為Si、Ti、Al、Ni、Mo、Pt、Pd、Au、W、TiW、TiN及它們之間的任意組合。?

13.如權利要求8所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件的制作方法，其漏極電極?(412)的材料為Si、Ti、Al、Ni、Mo、Pt、Pd、Au、W、TiW、TiN及它們之間的任意組合。?

14.如權利要求8所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件的制作方法，其柵極電極(510)的材料為Si、Ti、Al、Ni、Mo、Pt、Pd、Au、W、TiW、TiN及它們之間的任意組合。?

15.如權利要求8所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件的制作方法，還包括在同一晶片上通過離子注入或者刻蝕形成臺面與其他GaN基增強型HEMT器件隔離的步驟。?

16.如權利要求8所述的GaN基凹柵增強型HEMT器件的制作方法，源極電極(401)、漏極電極(402)和柵極電極(510)的制備方法為濺射或蒸發。?