[發(fā)明專利]一種漏電流檢測電路及方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410410286.0 | 申請日： | 2014-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN104155507A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱國忠;萊姆·吳;張玉林;張俊 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海正泰電源系統(tǒng)有限公司 |
| 主分類號： | G01R19/18 | 分類號： | G01R19/18 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若瑩;柏子雵 |
| 地址： | 201614 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 漏電 檢測 電路 方法 | ||
1.一種漏電流檢測電路，其特征在于，包括采用高磁導(dǎo)率鐵氧體環(huán)形磁芯的變壓器(T1)，變壓器(T1)具有至少四個繞組，分別為激勵繞組一(W1)、激勵繞組二(W2)、電流校準(zhǔn)繞組(W3)及繞組(W4)，繞組(W4)為穿過高磁導(dǎo)率鐵氧體環(huán)形磁芯的導(dǎo)體，若有漏電流Ik產(chǎn)生，則該漏電流Ik經(jīng)繞組(W4)自高磁導(dǎo)率鐵氧體環(huán)形磁芯中穿過；校準(zhǔn)電流發(fā)生單元經(jīng)由開關(guān)三(K3)與電流校準(zhǔn)繞組(W3)形成回路；
還包括主控單元、充磁單元、去磁單元、開關(guān)一(K1)、開關(guān)二(K2)及電流采樣單元，開關(guān)一(K1)及開關(guān)二(K2)在主控單元控制下交替導(dǎo)通，開關(guān)一(K1)導(dǎo)通時，充磁單元對激勵繞組一(W1)充電，主控單元通過電流采樣單元檢測到由初始電流值起增大的電流，該電流值增大至設(shè)定閾值后，開關(guān)一(K1)關(guān)斷且開關(guān)二(K2)導(dǎo)通，由主控單元記錄開關(guān)一(K1)的導(dǎo)通時間T1，開關(guān)一(K1)關(guān)斷后，去磁單元給激勵繞組一(W1)去磁，電流采樣單元上的電流下降至初始電流值；開關(guān)二(K2)導(dǎo)通時，充磁單元對激勵繞組一(W1)充電，主控單元通過電流采樣單元檢測到由初始電流值起增大的電流，該電流值增大至設(shè)定閾值后，開關(guān)二(K2)關(guān)斷且開關(guān)一(K1)導(dǎo)通，由主控單元記錄開關(guān)二(K2)的導(dǎo)通時間T2；
逆變器運行前，導(dǎo)通開關(guān)三(K3)，由校準(zhǔn)電流發(fā)生單元給出校準(zhǔn)電流I0，記錄主控單元記錄開關(guān)一(K1)與主控單元記錄開關(guān)二(K2)的導(dǎo)通時間的差ΔT0；逆變器運行后，斷開開關(guān)三(K3)，實時記錄主控單元記錄開關(guān)一(K1)與主控單元記錄開關(guān)二(K2)的導(dǎo)通時間的差ΔT，依據(jù)實時監(jiān)測有無漏電流Ik。
2.如權(quán)利要求1所述的一種漏電流檢測電路，其特征在于，所述校準(zhǔn)電流發(fā)生單元或采用電流源，或采用串聯(lián)的電壓源及電阻。
3.如權(quán)利要求1所述的一種漏電流檢測電路，其特征在于，所述主控單元或采用微控制器，或采用驅(qū)動電路單元(U1)和脈寬信號處理單元(U2)，由該驅(qū)動電路單元(U1)驅(qū)動所述開關(guān)一(K1)及所述開關(guān)二(K2)，同時，由該驅(qū)動電路單元(U1)通過所述電流采樣單元檢測電流；脈寬信號處理單元(U2)記錄所述導(dǎo)通時間T1及所述導(dǎo)通時間T2。
4.如權(quán)利要求3所述的一種漏電流檢測電路，其特征在于，所述脈寬信號處理單元(U2)或為比較電路，或為串聯(lián)的高速脈沖計數(shù)及數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。
5.如權(quán)利要求1所述的一種漏電流檢測電路，其特征在于，所述充磁單元為電壓源VCC。
6.如權(quán)利要求1所述的一種漏電流檢測電路，其特征在于，所述去磁單元或為電壓源VDD，或為接地的電容C1。
7.一種采用如權(quán)利要求1所述的漏電流檢測電路的漏電流檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：
第一步、在逆變器運行前，主控單元工作，開關(guān)一(K1)及開關(guān)二(K2)在主控單元控制下始終保持交替導(dǎo)通，交替導(dǎo)通的過程為：
步驟1.1、開關(guān)一(K1)在主控單元控制下導(dǎo)通；
步驟1.2、開關(guān)一(K1)導(dǎo)通時，充磁單元對激勵繞組一(W1)充電，主控單元通過電流采樣單元檢測到由初始電流值起增大的電流，該電流值增大至設(shè)定閾值后，開關(guān)一(K1)關(guān)斷且開關(guān)二(K2)導(dǎo)通，由主控單元記錄開關(guān)一(K1)的導(dǎo)通時間T1，開關(guān)一(K1)關(guān)斷后，去磁單元給激勵繞組一(W1)去磁，電流采樣單元上的電流下降至初始電流值；
步驟1.3、開關(guān)二(K2)導(dǎo)通時，充磁單元對激勵繞組一(W1)充電，主控單元通過電流采樣單元檢測到由初始電流值起增大的電流，該電流值增大至設(shè)定閾值后，開關(guān)二(K2)關(guān)斷且開關(guān)一(K1)導(dǎo)通，由主控單元記錄開關(guān)二(K2)的導(dǎo)通時間T2，返回步驟1.2；
在上述步驟1.1至步驟1.3的過程中，導(dǎo)通時間T1與導(dǎo)通時間T2相等；
第二步、將開關(guān)三(K3)導(dǎo)通，校準(zhǔn)電流發(fā)生單元經(jīng)由電流校準(zhǔn)繞組(W3)向變壓器(T1)輸入校準(zhǔn)電流I0，導(dǎo)通時間T1與導(dǎo)通時間T2在校準(zhǔn)電流I0的影響下產(chǎn)生差異，記為ΔT0；
第三步、關(guān)斷開關(guān)三(K3)后逆變器運行，若在繞組(W4)上產(chǎn)生漏電流Ik，則導(dǎo)通時間T1與導(dǎo)通時間T2在漏電流Ik的影響下產(chǎn)生差異，記為ΔT，依據(jù)實時得到漏電流Ik的具體數(shù)值。
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