[發(fā)明專利]低噪聲放大器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410410265.9
• 申請(qǐng)日: 2014-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN105375890A
• 公開（公告）日: 2016-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫景業(yè);馮光濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/32
• 分類號(hào): H03F1/32;H03F1/26
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種低噪聲放大器，其特征在于，所述低噪聲放大器至少包括：

第一放大管、第二放大管、第三放大管、第四放大管、第一電流源、第二電流源、第三電流源、第四電流源、第一電阻、第二電阻以及多個(gè)電容；

所述第一放大管的柵端通過第一電容連接至輸入信號(hào)的正端，源端通過第二電容連接至輸入信號(hào)的負(fù)端；所述第二放大管的柵端通過第三電容連接至所述輸入信號(hào)的負(fù)端，源端通過第四電容連接至所述輸入信號(hào)的正端；所述第三放大管的柵端通過第五電容連接至所述輸入信號(hào)的正端，源端通過第六電容連接至所述輸入信號(hào)的負(fù)端；所述第四放大管的柵端通過第七電容連接至所述輸入信號(hào)的負(fù)端，源端通過第八電容連接至所述輸入信號(hào)的正端；所述第一放大管的漏端與所述第三放大管的漏端相連，并作為輸出信號(hào)的正端；所述第二放大管的漏端與所述第四放大管的漏端相連，并作為輸出信號(hào)的負(fù)端；所述第一放大管、所述第二放大管、所述第三放大管及所述第四放大管形成交叉耦合結(jié)構(gòu)的放大電路，用于放大輸入信號(hào)；

所述第一電流源的源端連接于電源，漏端連接于所述第一放大管的源端；所述第二電流源的源端連接于電源，漏端連接于所述第二放大管的源端；所述第三電流源的源端連接于地，漏端連接于所述第三放大管的源端；所述第四電流源的源端連接于地，漏端連接于所述第四放大管的源端；所述第一電流源、所述第二電流源、所述第三電流源、所述第四電流源用于給電路提供直流偏置電流；

所述第一電阻的一端連接于所述輸出信號(hào)的正端，另一端連接于所述輸入信號(hào)的正端，所述第二電阻的一端連接于所述輸出信號(hào)的負(fù)端，另一端連接于所述輸入信號(hào)的負(fù)端，用于調(diào)節(jié)各電流源以改變所述直流偏置電流的大小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于：所述第一放大管、所述第二放大管、所述第一電流源以及所述第二電流源為P型晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于：所述第三放大管、所述第四放大管、所述第三電流源以及所述第四電流源為N型晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于：所述第一放大管、所述第二放大管、所述第三放大管、所述第四放大管、所述第一電流源、所述第二電流源、所述第三電流源以及所述第四電流源為BJT型晶體管、JFET型晶體管或MOSFET型晶體管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于：所述第一電容、所述第二電容、所述第三電容、所述第四電容、所述第五電容、所述第六電容、所述第七電容及所述第八電容的類型為MIM電容、PIP電容或MOM電容。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于：所述第一電容、所述第二電容、所述第三電容、所述第四電容、所述第五電容、所述第六電容、所述第七電容及所述第八電容的容量值均相等。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于：所述第一電阻與所述第二電阻為多晶硅電阻。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于：所述第一電阻與所述第二電阻的阻值小于4.5KΩ。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于：所述輸入信號(hào)及所述輸出信號(hào)為兩組差分信號(hào)。