[發(fā)明專利]對(duì)準(zhǔn)測(cè)量方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410410237.7
• 申請(qǐng)日: 2014-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN105446090B
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 包巧霞;鄧貴紅;余志賢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G03F9/00
• 分類號(hào): G03F9/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量方法至少包括以下步驟：

步驟一：將待測(cè)量工件引入對(duì)準(zhǔn)量測(cè)機(jī)臺(tái)，在所述對(duì)準(zhǔn)量測(cè)機(jī)臺(tái)內(nèi)設(shè)置用于對(duì)準(zhǔn)測(cè)量的硅片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量點(diǎn)位置；

步驟二：采集設(shè)置于最小曝光單元中的多個(gè)硅片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量點(diǎn)的坐標(biāo)；

步驟三：根據(jù)所述硅片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量點(diǎn)的坐標(biāo)計(jì)算硅片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量點(diǎn)位置位移，所述測(cè)量點(diǎn)位置位移包括X方向位置位移、Y方向位置位移及對(duì)角位置位移；

步驟四：將對(duì)準(zhǔn)量測(cè)機(jī)臺(tái)計(jì)算所得硅片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量點(diǎn)位置位移與光罩上定義的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記點(diǎn)位置位移作比較，若偏差在允許范圍內(nèi)，則結(jié)束；若偏差超出允許范圍，則返回步驟一重新設(shè)置所述硅片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量點(diǎn)位置，直至偏差在允許范圍內(nèi)為止。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量方法，其特征在于：所述待測(cè)量工件為帶有光刻圖形信息的晶圓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量方法，其特征在于：步驟一中硅片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量點(diǎn)位置的設(shè)置依據(jù)為光罩上定義的光刻圖形位置信息。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量方法，其特征在于：最小曝光單元中的硅片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量點(diǎn)數(shù)量不少于4個(gè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量方法，其特征在于：步驟四中所述允許范圍設(shè)定為不大于0.0015％。