[發明專利]對準測量方法有效
| 申請號： | 201410410237.7 | 申請日： | 2014-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN105446090B | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發明（設計）人： | 包巧霞;鄧貴紅;余志賢 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F9/00 | 分類號： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 對準 測量方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種對準測量方法，其特征在于，所述對準測量方法至少包括以下步驟：
步驟一：將待測量工件引入對準量測機臺，在所述對準量測機臺內設置用于對準測量的硅片對準標記測量點位置；
步驟二：采集設置于最小曝光單元中的多個硅片對準標記測量點的坐標；
步驟三：根據所述硅片對準標記測量點的坐標計算硅片對準標記測量點位置位移，所述測量點位置位移包括X方向位置位移、Y方向位置位移及對角位置位移；
步驟四：將對準量測機臺計算所得硅片對準標記測量點位置位移與光罩上定義的對準標記點位置位移作比較，若偏差在允許范圍內，則結束；若偏差超出允許范圍，則返回步驟一重新設置所述硅片對準標記測量點位置，直至偏差在允許范圍內為止。
2.根據權利要求1所述的對準測量方法，其特征在于：所述待測量工件為帶有光刻圖形信息的晶圓。
3.根據權利要求1所述的對準測量方法，其特征在于：步驟一中硅片對準標記測量點位置的設置依據為光罩上定義的光刻圖形位置信息。
4.根據權利要求1所述的對準測量方法，其特征在于：最小曝光單元中的硅片對準標記測量點數量不少于4個。
5.根據權利要求1所述的對準測量方法，其特征在于：步驟四中所述允許范圍設定為不大于0.0015％。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410410237.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：顯影裝置、可視圖像形成裝置以及圖像形成設備
- 下一篇：液壓翻卷機
