[發(fā)明專利]一種MEMS橫向刻蝕工藝的監(jiān)測方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410410034.8 | 申請日： | 2014-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN105347296A | 公開（公告）日： | 2016-02-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊濤;李俊杰;李俊峰;趙超 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | B81C99/00 | 分類號： | B81C99/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人： | 黨麗;逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mems 橫向 刻蝕 工藝 監(jiān)測 方法 | ||
1.一種MEMS橫向刻蝕工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，包括：
提供橫向刻蝕形成空腔后的襯底的質(zhì)量目標(biāo)值以及其容差范圍；
提供襯底，在襯底上進(jìn)行橫向刻蝕形成空腔；
獲得空腔形成后的襯底的質(zhì)量；
判斷該質(zhì)量是否在質(zhì)量目標(biāo)值的容差范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測方法，其特征在于，提供質(zhì)量目標(biāo)值的步驟具體為：測量特定產(chǎn)品的襯底在橫向刻蝕形成空腔后的質(zhì)量，通過掃描電子顯微鏡獲得并分析該空腔的工藝參數(shù)，確定該襯底的質(zhì)量為質(zhì)量目標(biāo)值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的監(jiān)測方法，其特征在于，提供質(zhì)量容差值的步驟具體為：測量該特定產(chǎn)品的其他多批次襯底在橫向刻蝕形成空腔后的質(zhì)量，得到空腔形成后的質(zhì)量變化數(shù)據(jù)，以確定容差范圍。
4.一種MEMS橫向刻蝕工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，包括：
提供橫向刻蝕形成空腔前、后的質(zhì)量差目標(biāo)值以及其容差范圍；
提供進(jìn)行橫向刻蝕前的襯底，獲得該襯底的第一質(zhì)量；
提供橫向刻蝕形成空腔后的襯底，獲得該襯底的第二質(zhì)量；
判斷第二質(zhì)量與第一質(zhì)量的質(zhì)量差是否在質(zhì)量差目標(biāo)值的容差范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的監(jiān)測方法，其特征在于，提供質(zhì)量差目標(biāo)值的步驟具體為：測定特定產(chǎn)品的襯底在刻蝕形成空腔前、后的質(zhì)量，通過掃描電子顯微鏡獲得并分析該空腔的工藝參數(shù)，確定該襯底的質(zhì)量為質(zhì)量目標(biāo)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的監(jiān)測方法，其特征在于，提供質(zhì)量差容差值的步驟具體為：測量該特定產(chǎn)品的其他多批次襯底在橫向刻蝕形成空腔前、后的質(zhì)量，得到空腔形成前、后的質(zhì)量差變化數(shù)據(jù)，以確定容差范圍。
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