[發(fā)明專利]一種稀土鎂合金及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410409425.8 | 申請(qǐng)日： | 2014-08-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104149415A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張洪杰;佟立波;文懋;張慶鑫;邱鑫;孟健 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào)： | B32B15/04 | 分類號(hào)： | B32B15/04;B32B9/04;C22C23/00;C22C23/02;C22C23/06;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 130022 吉*** | 國(guó)省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 稀土 鎂合金 及其 制備 方法 | ||
1.一種稀土鎂合金，其特征在于，包括：
稀土鎂合金基底；
復(fù)合在所述稀土鎂合金基底上的鈦過渡層；
復(fù)合在所述鈦過渡層上的耐腐蝕層；所述耐腐蝕層由碳化物形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土鎂合金，其特征在于，所述耐腐蝕層還包括：
復(fù)合在所述碳化物層上的鈦層；
復(fù)合在所述鈦層上的碳化物/鈦交替形成的多層結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的稀土鎂合金，其特征在于，所述碳化物為碳化鉿、碳化鉭或碳化鋯。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的稀土鎂合金，其特征在于，所述耐腐蝕層的厚度為0.1μm～30μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土鎂合金，其特征在于，所述稀土鎂合金基底包含：
大于0小于等于6wt％的Al；
大于0小于等于1wt％的Ca；
大于0小于等于1wt％的Sm；
余量為Mg。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土鎂合金，其特征在于，所述鈦過渡層的厚度為0.2μm～2.0μm。
7.一種稀土鎂合金的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
a)采用磁控濺射法在稀土鎂合金基底上形成鈦過渡層；
b)采用磁控濺射法在所述鈦過渡層上形成耐腐蝕層；所述耐腐蝕層由碳化物形成；
c)對(duì)步驟b)得到的產(chǎn)品進(jìn)行真空退火，得到稀土鎂合金。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)還包括采用磁控濺射法在所述碳化物層上形成鈦層和碳化物/鈦交替形成的多層結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中，所述磁控濺射的壓強(qiáng)為0.4Pa～2.0Pa，偏壓為-50V～-100V，基體溫度為25℃～100℃，靶基距為50mm～80mm，濺射電流密度為7mA/cm2～20mA/cm2。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)中，所述磁控濺射的壓強(qiáng)為0.4Pa～2.0Pa，偏壓為-50V～-200V，基體溫度為25℃～100℃，靶基距為50mm～80mm，濺射電流密度為10mA/cm2～20mA/cm2。
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