[發明專利]用于形成銀或銀合金的布線和反射層的蝕刻劑組合物有效
| 申請號： | 201410409199.3 | 申請日： | 2014-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN104419932B | 公開（公告）日： | 2019-05-10 |
| 發明（設計）人： | 張尚勛;沈慶輔;金泰完;李昔準 | 申請（專利權）人： | 東友精細化工有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/30 | 分類號： | C23F1/30;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 張穎玲;胡春光 |
| 地址： | 韓國全*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 形成 合金 布線 反射層 蝕刻 組合 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于ITO/Ag-Pd-Cu合金/ITO的蝕刻劑組合物，用于在蝕刻所述ITO/Ag-Pd-Cu合金/ITO之后，使側蝕刻降低至0.3μm或低于0.3μm，所述用于ITO/Ag-Pd-Cu合金/ITO的蝕刻劑組合物包括：基于組合物的總重量，
55％至65％重量的磷酸；
2％至10％重量的硝酸；
3％至10％重量的乙酸；
0.1％至5％重量的磷酸二氫鉀；以及
余量的水。
2.一種制造薄膜晶體管的方法，包括以下步驟：
(a)在基板上形成金屬層；
(b)通過蝕刻所述金屬層形成柵電極；
(c)在所述柵電極上形成柵極絕緣層；
(d)在所述柵極絕緣層上形成半導體層；
(e)在所述半導體層上形成源電極和漏電極；以及
(f)在所述源電極和所述漏電極上形成像素電極，
其中，所述步驟(b)和步驟(e)中的至少一個步驟中包含利用根據權利要求1所述的用于ITO/Ag-Pd-Cu合金/ITO的蝕刻劑組合物進行蝕刻的步驟。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東友精細化工有限公司，未經東友精細化工有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410409199.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：單晶爐的導流筒
- 下一篇：薄膜沉積裝置和使用該薄膜沉積裝置的薄膜沉積方法
