[發明專利]一種源漏外延工藝的監測方法有效
| 申請號： | 201410409038.4 | 申請日： | 2014-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN105405782B | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發明（設計）人： | 楊濤;王桂磊;陳韜;李俊峰;趙超 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;胡湘根 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外延 工藝 監測 方法 | ||
1.一種源漏外延工藝的監測方法，其特征在于，包括：
提供外延形成源漏區后的襯底的質量目標值以及其容差范圍；
提供質量目標值的步驟具體為：測量特定產品的襯底在外延形成源漏區后的質量，通過掃描電子顯微鏡分析該襯底的源漏區的厚度和晶體結構的結晶態，確定該襯底的質量為質量目標值；
提供襯底，在襯底上形成源漏溝槽，并在源漏溝槽中外延形成源漏區；
獲得外延形成源漏區后的襯底的質量；
判斷該質量是否在質量目標值的容差范圍內。
2.根據權利要求1所述的監測方法，其特征在于，提供質量容差值的步驟具體為：測量該特定產品的其他多批次襯底在外延形成源漏區后的質量，得到外延形成源漏區后的質量變化數據，以確定容差范圍。
3.一種源漏外延工藝的監測方法，其特征在于，包括：
提供外延形成源漏區前、后的質量差目標值以及其容差范圍；
提供質量差目標值的步驟具體為：測量特定產品的襯底在外延形成源漏區前、后的質量，通過掃描電子顯微鏡分析該襯底的源漏區的厚度和晶體結構的結晶態，確定該襯底在外延形成源漏區前、后質量差為質量差目標值；
提供襯底，在襯底上形成源漏溝槽，獲得該襯底的第一質量；
在該源漏溝槽中外延形成源漏區，獲得該襯底的第二質量；
判斷第二質量與第一質量的質量差是否在質量差目標值的容差范圍內。
4.根據權利要求3所述的監測方法，其特征在于，提供質量差容差值的步驟具體為：測量該特定產品的其他多批次襯底在外延形成源漏區前、后的質量，得到外延形成源漏區前、后的質量差變化數據，以確定容差范圍。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
