[發明專利]用于拋光藍寶石表面的化學機械拋光組合物及其使用方法在審
| 申請號: | 201410408641.0 | 申請日: | 2014-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN104416450A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發明(設計)人: | A·S·巴里克;西澤秀明;森山和樹;吉田光一;江澤俊二;S·阿魯姆甘 | 申請(專利權)人: | 羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司;霓塔哈斯株式會社 |
| 主分類號: | B24B37/00 | 分類號: | B24B37/00;C09G1/02 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸蔚 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 拋光 藍寶石 表面 化學 機械拋光 組合 及其 使用方法 | ||
1.一種拋光藍寶石基材的方法,其包括:
提供具有暴露的藍寶石表面的基材;
提供pH為大于8且不超過12的化學機械拋光漿液,其中該化學機械拋光漿液含有以下成分作為初始組分:
膠體二氧化硅磨料,其中該膠體二氧化硅磨料具有負表面電荷,且該膠體二氧化硅磨料具有多峰粒度分布,第一粒度最大為2-25nm;第二粒度最大為75-200nm;
任選的殺生物劑;
任選的非離子型消泡劑;以及
任選的pH調節劑;
提供化學機械拋光墊;
在化學機械拋光墊和基材的界面處形成動態接觸;以及
在所述化學機械拋光墊和基材之間的界面處或界面附近,將所述化學機械拋光漿液分配到所述化學機械拋光墊上;
其中至少一些藍寶石從基材暴露的藍寶石表面上去除,且所述化學機械拋光漿液在以下條件下具有≥/小時的藍寶石去除速率:臺板轉速120轉/分鐘,支架轉速120轉/分鐘,化學機械拋光漿液的流速為400毫升/分鐘,在300毫米的拋光設備上施加34.3kPa的標稱向下作用力,所述化學機械拋光墊是聚氨酯浸漬的無紡拋光墊。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述化學機械拋光漿液含有5-40重量%的膠體二氧化硅磨料。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述膠體二氧化硅磨料是平均粒度為2-25nm的第一組膠體二氧化硅顆粒和平均粒度為75-185nm的第二組膠體二氧化硅顆粒的混合物。
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,所述膠體二氧化硅磨料含有1-25重量%的第一組膠體二氧化硅顆粒。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述化學機械拋光漿液含有10-30重量%的膠體二氧化硅磨料;該膠體二氧化硅磨料是平均粒度為10-25nm的第一組膠體二氧化硅顆粒和平均粒度為90-110nm的第二組膠體二氧化硅顆粒的混合物;該膠體二氧化硅磨料含有1-25重量%第一組膠體二氧化硅顆粒;所述化學機械拋光漿液含有0.2-1.5重量%的非離子型消泡劑,該非離子型消泡劑是基于硅的消泡劑;該化學機械拋光漿液在以下條件下具有≥/小時的藍寶石去除速率:臺板轉速120轉/分鐘,支架轉速120轉/分鐘,化學機械拋光漿液的流速為400毫升/分鐘,在300毫米的拋光設備上施加34.3kPa的標稱向下作用力,所述化學機械拋光墊是聚氨酯浸漬的無紡墊。
6.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述化學機械拋光漿液的pH為9-10;該化學機械拋光漿液含有10-30重量%的膠體二氧化硅磨料;該膠體二氧化硅磨料是平均粒度為10-21nm的第一組膠體二氧化硅顆粒和平均粒度為95-105nm的第二組膠體二氧化硅顆粒的混合物;該膠體二氧化硅磨料含有1-25重量%第一組膠體二氧化硅顆粒;所述化學機械拋光漿液含有0.45-1.05重量%的非離子型消泡劑,該非離子型消泡劑是基于硅的消泡劑;該化學機械拋光漿液在以下條件下具有≥/小時的藍寶石去除速率:臺板轉速120轉/分鐘,支架轉速120轉/分鐘,化學機械拋光漿液的流速為400毫升/分鐘,在300毫米的拋光設備上施加34.3kPa的標稱向下作用力,所述化學機械拋光墊是聚氨酯浸漬的無紡墊。
7.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述化學機械拋光漿液的pH為9-10;該化學機械拋光漿液含有10-30重量%的膠體二氧化硅磨料;該膠體二氧化硅磨料是平均粒度為14-16nm的第一組膠體二氧化硅顆粒和平均粒度為95-105nm的第二組膠體二氧化硅顆粒的混合物;該膠體二氧化硅磨料含有1-25重量%第一組膠體二氧化硅顆粒;所述化學機械拋光漿液含有0.45-1.05重量%的非離子型消泡劑,該非離子型消泡劑是基于硅的消泡劑;該化學機械拋光漿液在以下條件下具有≥/小時的藍寶石去除速率:臺板轉速120轉/分鐘,支架轉速120轉/分鐘,化學機械拋光漿液的流速為400毫升/分鐘,在300毫米的拋光設備上施加34.3kPa的標稱向下作用力,所述化學機械拋光墊是聚氨酯浸漬的無紡墊。
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