[發(fā)明專利]自適應(yīng)光掩模及其使用方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410407557.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-08-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104423139B | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | N·Y·譚 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘋果公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/00 | 分類號(hào): | G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 美國(guó)加*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 自適應(yīng) 光掩模 及其 使用方法 | ||
1.一種用于使用具有可調(diào)節(jié)孔徑的自適應(yīng)光掩模以動(dòng)態(tài)地激活與基板表面重疊的光致抗蝕劑層以將所述光致抗蝕劑層修改為適合所述基板表面上的特征的方法,其中所述可調(diào)節(jié)孔徑由被不透明部分包圍的透射部分限定,所述方法包括:
從圖像捕獲設(shè)備接收與表面特征相關(guān)聯(lián)的規(guī)格數(shù)據(jù),其中所述規(guī)格數(shù)據(jù)包括對(duì)應(yīng)于所述特征的邊界的數(shù)據(jù);
根據(jù)所述規(guī)格數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)所述透射部分的尺寸和形狀,其中所述透射部分的經(jīng)過調(diào)節(jié)的尺寸和形狀對(duì)應(yīng)于所述特征的邊界;以及
將能量束的第一部分透射通過所述透射部分的經(jīng)過調(diào)節(jié)的尺寸和形狀,使得所述能量束的第一部分激活所述光致抗蝕劑層的對(duì)應(yīng)的第一部分,同時(shí)所述不透明部分防止所述能量束的第二部分激活所述光致抗蝕劑層的對(duì)應(yīng)的第二部分。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述自適應(yīng)光掩模位于所述光致抗蝕劑層正上方。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述能量是光。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述可調(diào)節(jié)孔徑沿所述基板表面移動(dòng)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,其中,隨著所述可調(diào)節(jié)孔徑沿所述基板表面移動(dòng),調(diào)節(jié)所述透射部分的尺寸和形狀。
6.如權(quán)利要求4所述的方法,其中,平移機(jī)制沿所述基板表面移動(dòng)所述可調(diào)節(jié)孔徑。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中調(diào)節(jié)所述透射部分的尺寸和形狀包括調(diào)節(jié)所述可調(diào)節(jié)孔徑的不透明部分的尺寸和形狀。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其中,調(diào)節(jié)所述可調(diào)節(jié)孔徑的不透明部分包括使得像素化介質(zhì)的一部分像素變暗。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述特征是基板的斜切邊緣,并且其中所述邊界對(duì)應(yīng)于沿著所述斜切邊緣的所述基板的相鄰表面之間的邊界。
10.一種用于使用自適應(yīng)光掩模動(dòng)態(tài)地激活布置在第一部件上的第一光致抗蝕劑層和布置在第二部件上的第二光致抗蝕劑層的方法,其中第一部件具有第一表面特征并且第二部件具有第二表面特征,所述方法包括:
接收與第一表面特征相關(guān)聯(lián)的第一規(guī)格數(shù)據(jù)集合,所述第一規(guī)格數(shù)據(jù)集合包括對(duì)應(yīng)于第一表面特征的第一邊界的數(shù)據(jù);
根據(jù)所接收到的第一規(guī)格數(shù)據(jù)集合調(diào)節(jié)所述自適應(yīng)光掩模的透射部分的尺寸和形狀;
使得能量束的第一部分能夠通過所述透射部分,以便激活與第一表面特征對(duì)應(yīng)的第一光致抗蝕劑層的第一部分;
接收與第二表面特征相關(guān)聯(lián)的第二規(guī)格數(shù)據(jù)集合,所述第二規(guī)格數(shù)據(jù)集合包括對(duì)應(yīng)于第二表面特征的第二邊界的數(shù)據(jù);
根據(jù)所接收到的第二規(guī)格數(shù)據(jù)集合調(diào)節(jié)所述自適應(yīng)光掩模的透射部分的尺寸和形狀;以及
使得能量束的第二部分能夠通過所述透射部分,以便激活與第二表面特征對(duì)應(yīng)的第二光致抗蝕劑層的第二部分。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,所接收到的第一規(guī)格數(shù)據(jù)集合不同于所接收到的第二規(guī)格數(shù)據(jù)集合。
12.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,通過使用圖像捕獲設(shè)備獲得所述第一規(guī)格數(shù)據(jù)集合和所述第二規(guī)格數(shù)據(jù)集合。
13.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述自適應(yīng)光掩模包括包圍所述透射部分的不透明部分。
14.如權(quán)利要求13所述的方法,其中,隨著所述自適應(yīng)光掩模沿所述第一部件或所述第二部件的表面移動(dòng),調(diào)節(jié)所述透射部分的形狀和尺寸。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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