[發明專利]一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法在審
| 申請號： | 201410407221.0 | 申請日： | 2014-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN104317171A | 公開（公告）日： | 2015-01-28 |
| 發明（設計）人： | 董啟明;張敬鈞 | 申請（專利權）人： | 北京中訊四方科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/38 | 分類號： | G03F7/38 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260 | 代理人： | 鄭立明;鄭哲 |
| 地址： | 100194 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面波 器件 光刻 過程 中的 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法，屬于聲表面波器件技術領域。?
背景技術
目前，傳統的聲表面波器件的工藝有三種，一是濕法工藝，二是干刻工藝，三是剝離工藝。濕法工藝成本較低，但主要用于寬線條產品。當用于細線條產品時，由于側向腐蝕較為嚴重，工藝很難實現，必須采用干刻或剝離工藝，造成成本很大。?
發明內容
本發明提供了一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法，以解決現有的濕法工藝存在的當用于細線條產品時側向腐蝕較嚴重，增加干刻或剝離后工藝較復雜、成本較高的問題，為此本發明采用如下的技術方案：?
一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法，包括：?
將烘箱的溫度穩定在160攝氏度，晶片將晶片放入所述烘箱中烘烤；?
烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至155攝氏度，再烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至150攝氏度，恒溫保持1小時；?
將所述烘箱的溫度降至120攝氏度，溫度恒定10分鐘后取出所述晶片。?
本發明實施方式提供的技術方案通過將晶片的烘烤溫度控制在150攝氏度至160攝氏度，使光刻膠達到流變狀態，達到最大限度的保護線條作用，減緩側向腐蝕的速度，實現厚膜細線條的目的，從而降低干刻或剝離的工藝復雜度，同時也降低了工藝成本。?
具體實施方式
下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。?
本具體實施方式提供了一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法，包括：?
將烘箱的溫度穩定在160攝氏度，晶片將晶片放入所述烘箱中烘烤；?
烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至155攝氏度，再烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至150攝氏度，恒溫保持1小時；?
將所述烘箱的溫度降至120攝氏度，溫度恒定10分鐘后取出所述晶片。?
取出的晶片自然降至室溫后，即可開始進行腐蝕。?
采用本具體實施方式提供的技術方案，通過將晶片的烘烤溫度控制在150攝氏度至160攝氏度，使光刻膠達到流變狀態，達到最大限度的保護線條作用，減緩側向腐蝕的速度，實現厚膜細線條的目的，從而降低干刻或剝離的工藝復雜度，同時也降低了工藝成本。?
以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明實施例揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應該以權利要求的保護范圍為準。?
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