[發明專利]電路裝置和用于操作電路裝置的方法

在審

• 申請號: 201410407188.1
• 申請日: 2014-08-18
• 公開（公告）號: CN104425031A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: T·尼爾施爾;P·霍弗特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/20
• 分類號: G11C16/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

技術領域

所公開的實施例總的來說涉及電路裝置、用于操作這樣的電路裝置的方法以及相應的系統。

背景技術

閃速存儲器典型地需要用于修改數據的高電壓。例如，用于選取待連接至讀出放大器(sense?amplifier)或寫入緩沖器電路的存儲器單元的多路復用器電路。如果讀出放大器被設計用于較低電壓，則可能需要保護器件。高電壓可以通過電荷泵產生，并且多路復用器電路的漏電電流可以被減小，特別是被最小化。

高電壓器件與低電壓器件相比具有較厚的門極氧化層和較大的溝道寬度和溝道長度，從而它們能夠承受由高電壓引起的較高的電場。結果，高電壓器件具有高的閾值電壓和大的器件面積。因此布局和電路架構被優化以使所需面積最小化。另一方面，低電壓器件顯示出改善了的模擬特性，并且歸因于較薄的門極氧化物，具有更好的匹配特性，這對于建立諸如讀出放大器等的模擬電路很重要。因此，高電壓與低電壓器件的組合對于保護和精確讀出操作的組合是有益的。因為p溝道器件的相當差的特性，所以可能主要使用n溝道器件。

在讀取操作過程中，借助于第一存取線(例如位線)和第二存取線(例如字線)來選取存儲器單元。存儲器單元的未用于選取和存取存儲器單元的第一存取線可以被保持處于限定偏壓，例如通過連接至諸如地電位等的限定電位被保持處于限定偏壓。結果，被選取的存儲器單元的讀取操作不會由于與相鄰的第一存取線電容性耦合而被干擾。通常，n溝道器件被用于使相鄰的第一存取線偏壓。措辭“相鄰”在本說明書中用于意味著例如“位置上挨著”或“相鄰”。

因為多路復用器電路中的器件和放電器件具有相同的極性，所以必須按照路線布置具有反相信號的附加總線。總線優選地設計用于高電壓，因為在寫入或擦除操作過程中位線被偏壓至比低電壓器件的擊穿電壓高的電壓。然而，高電壓設計需要用于門極的控制的高電壓電平移位器，高電壓電平移位器需要面積并且在由電荷泵提供的操作過程中消耗動態功率。典型地，電荷泵在傳輸供電電壓VDD的供電線上汲取大的電流。使用用于偏壓的p溝道器件是可能的，然而需要負的過載，或者未用于選取存儲器單元的第一存取線僅被弱偏壓。這種情況尤其發生在供電電壓VDD位于高電壓器件的閾值電壓的范圍內所在的比例技術節點處。

發明內容

第一實施例涉及一種電路裝置，包括：多個電子部件；多個第一存取線和第二存取線，其中，每個電子部件都與至少一個第一存取線和第二存取線耦合，其中第二存取線包括至少兩個位線；存取控制器，存取控制器被配置成經由至少一個第一存取線和第二存取線對多個電子部件中的至少一個電子部件的存取進行控制；第一組開關，其中每個開關都包括至少一個控制端子和至少兩個被控端子，其中第一組開關中的每個開關都經由其控制端子被連接至至少兩個位線中的一個，并且經由其被控端子被連接在一個第一存取線與讀出放大器之間的路徑中；其中，第一組開關中的相鄰的開關經由它們的控制端子被連接至至少兩個位線中的不同位線。

第二實施例涉及一種用于操作電路裝置的方法，其中，電路裝置包括多個電子部件；以及多個第一存取線和第二存取線。每個電子部件都與至少一個第一存取線和第二存取線耦合，其中第二存取線包括至少兩個位線，其中選取第一存取線；并且其中，將與被選取的第一存取線相鄰的至少一個第一存取線控制成提供放電路徑。

第三實施例涉及第一種系統，包括：多個電子部件；多個第一存取線和第二存取線，其中每個電子部件都與至少一個第一存取線和第二存取線耦合，其中第二存取線包括至少兩個位線；用于選取第一存取線的部件；以及用于將與被選取的第一存取線相鄰的至少一個第一存取線控制成提供放電路徑的部件。

附圖說明

參照附圖示出并說明了實施例。附圖用于說明基本原理，從而僅說明了用于理解基本原理必要的方面。附圖未按比例。在附圖中，相同的附圖標記表示類似的特征。

圖1示出電路裝置的示例性實施例；

圖2示出具有允許以交替順序向電路尋址的兩個位線的多路復用器電路的示例性實施；

圖3示出讀取操作過程中圖2的電路圖；

圖4示出寫入操作過程中圖2的電路圖。

具體實施方式

以下詳細描述參照附圖進行，附圖通過圖示的方式示出具體細節以及可以實踐本發明的實施例。

用語“示例性”在本文中用于意味著“用作示例、例子或說明”。本文中描述為“示例性”的任何實施例或設計都并不一定被解釋為比其它實施例或設計優選或有利。