[發(fā)明專利]具有不同寬度的柵極結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410406683.0
• 申請日: 2014-08-18
• 公開（公告）號: CN104835838B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何偉碩;江宗育;張家銘;林俊銘
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

襯底，所述襯底上具有鰭結(jié)構(gòu)；

形成在所述襯底上方的第一金屬柵極結(jié)構(gòu)，其中，所述第一金屬柵極結(jié)構(gòu)具有第一寬度；

鄰近所述第一金屬柵極結(jié)構(gòu)形成的第一接觸件；

形成在所述襯底上方的第二金屬柵極結(jié)構(gòu)，其中，所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)具有小于所述第一寬度的第二寬度；

形成在所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)上方的絕緣層；以及

自對準(zhǔn)到所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)的第二接觸件，所述第二接觸件橫跨彼此相鄰的兩個(gè)鰭結(jié)構(gòu)；

其中，所述絕緣層形成在所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)上但未形成在所述第一金屬柵極結(jié)構(gòu)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一寬度和所述第二寬度的比值在2到15的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一金屬柵極結(jié)構(gòu)具有第一高度，且第二窄金屬柵極結(jié)構(gòu)具有小于所述第一高度的第二高度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一高度和所述第二高度的比值在4到10的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，形成在所述第二窄金屬柵極結(jié)構(gòu)上方的所述絕緣層具有第三高度，且所述第二高度和所述第三高度之和等于所述第一高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第二接觸件的部分形成在所述絕緣層上。

7.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

襯底，所述襯底上具有鰭結(jié)構(gòu)；

形成在所述襯底上方的第一金屬柵極結(jié)構(gòu)；

鄰近所述第一金屬柵極結(jié)構(gòu)形成的第一接觸件；

形成在所述襯底上方的第二金屬柵極結(jié)構(gòu)；

形成在所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)上方的絕緣層；以及

自對準(zhǔn)到所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)的第二接觸件，所述第二接觸件橫跨彼此相鄰的兩個(gè)鰭結(jié)構(gòu)，

其中，所述第一金屬柵極結(jié)構(gòu)具有第一寬度和第一高度，且所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)具有第二寬度和小于所述第一高度的第二高度，且所述第一寬度和所述第二寬度的比值在2到15的范圍內(nèi)；

其中，所述絕緣層形成在所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)上但未形成在第一金屬柵極結(jié)構(gòu)上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一高度和所述第二高度的比值在4到10的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，形成在所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)上方的所述絕緣層具有第三高度，且所述第二高度和所述第三高度之和等于所述第一高度。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第二接觸件的部分形成在所述絕緣層上。

11.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在襯底上方的層間介電層(ILD)中形成第一金屬柵極結(jié)構(gòu)和第二金屬柵極結(jié)構(gòu)，所述襯底上具有鰭結(jié)構(gòu)；

在所述第一金屬柵極結(jié)構(gòu)上形成掩膜結(jié)構(gòu)并露出所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)的上表面；

蝕刻所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)的頂部以縮短所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)；

在所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)上形成絕緣層；以及

形成鄰近所述第一金屬柵極結(jié)構(gòu)的第一接觸件以及自對準(zhǔn)到所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)的第二接觸件，所述第二接觸件橫跨彼此相鄰的兩個(gè)鰭結(jié)構(gòu)，

其中，所述第一金屬柵極結(jié)構(gòu)具有第一寬度且所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)具有小于所述第一寬度的第二寬度；

其中，所述絕緣層形成在所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)上但未形成在所述第一金屬柵極結(jié)構(gòu)上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，進(jìn)一步包括：

在所述第二金屬柵極結(jié)構(gòu)上形成絕緣層之前移除所述掩膜結(jié)構(gòu)。