[發(fā)明專利]純化多晶硅的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410406611.6 | 申請日： | 2008-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN104150488A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | H·沃赫納;C·戈斯曼;H·林德納 | 申請（專利權(quán)）人： | 瓦克化學(xué)股份公司 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 過曉東;譚邦會 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 純化 多晶 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種清潔多晶硅的方法，其包括以下步驟：
a.)在至少一個階段中采用包含氫氟酸、硝酸和六氟硅酸的氧化清潔溶液的預(yù)清潔，
b.)在進一步的階段中采用包含硝酸和氫氟酸的清潔溶液的主清潔，
c.)在進一步的階段中采用氧化清潔溶液的親水化。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，在所述預(yù)清潔步驟中的清潔溶液的HNO3濃度是5-35重量％。
3.權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，所述預(yù)清潔步驟在溫度為0-60℃下進行。
4.權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，所述親水化在臭氧水溶液中進行。
5.權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，所述預(yù)清潔步驟和主清潔步驟在分開的酸回路中進行。
6.權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，源自所述主清潔步驟的酸在預(yù)清潔步驟中被重復(fù)使用。
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