[發(fā)明專利]等離子切割方法及等離子切割裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410406586.1
• 申請(qǐng)日: 2014-08-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104934312A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 酒井隆行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種等離子切割方法，對(duì)包括基板、分離形成在上述基板上的多個(gè)半導(dǎo)體層、設(shè)在各個(gè)上述半導(dǎo)體層上的金屬電極、和鈍化膜的晶片上的上述多個(gè)半導(dǎo)體層之間的切割區(qū)域的上述基板進(jìn)行等離子蝕刻，上述鈍化膜將上述半導(dǎo)體層覆蓋，并具有使上述金屬電極的一部分露出的焊盤開(kāi)口部，其特征在于，包括如下處理：

在含有第1氣體的等離子體的氣體環(huán)境中，使膜堆積到上述切割區(qū)域及在上述焊盤開(kāi)口部露出的上述金屬電極上的堆積處理；和

在含有第2氣體的等離子體的氣體環(huán)境中，對(duì)支承上述晶片的下部電極賦予第1偏壓電力而將上述膜蝕刻的蝕刻處理，

在上述蝕刻處理中，當(dāng)檢測(cè)到上述切割區(qū)域的上述基板的伴隨著蝕刻的發(fā)光時(shí)，使上述第1偏壓電力下降到第2偏壓電力，將上述基板蝕刻。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子切割方法，其特征在于，

上述第2偏壓電力被賦予給上述下部電極時(shí)的對(duì)上述晶片的入射離子的能量，比將上述金屬電極濺蝕的能量低。

3.如權(quán)利要求1所述的等離子切割方法，其特征在于，

將上述堆積處理和上述蝕刻處理交替地重復(fù)多次，將上述切割區(qū)域的上述基板蝕刻。

4.如權(quán)利要求1所述的等離子切割方法，其特征在于，

上述焊盤開(kāi)口部的縱橫比小于上述切割區(qū)域的縱橫比。

5.如權(quán)利要求1所述的等離子切割方法，其特征在于，

上述基板是硅基板。

6.如權(quán)利要求1所述的等離子切割方法，其特征在于，

上述第1氣體包括碳氟化合物類氣體，上述第2氣體包括氟類氣體。

7.如權(quán)利要求6所述的等離子切割方法，其特征在于，

上述第1氣體包括C₄F₈，上述第2氣體包括SF₆。

8.如權(quán)利要求1所述的等離子切割方法，其特征在于，

上述鈍化膜含有聚酰亞胺。

9.如權(quán)利要求1所述的等離子切割方法，其特征在于，

上述鈍化膜含有氧化硅。

10.如權(quán)利要求1所述的等離子切割方法，其特征在于，

上述金屬電極含有鋁。

11.一種等離子切割裝置，其特征在于，具備：

處理室，能夠維持等離子體氣體環(huán)境；

下部電極，將包括基板、分離形成在上述基板上的多個(gè)半導(dǎo)體層、設(shè)在各個(gè)上述半導(dǎo)體層上的金屬電極、和鈍化膜的晶片在上述處理室內(nèi)支承，上述鈍化膜將上述半導(dǎo)體層覆蓋并具有使上述金屬電極的一部分露出的焊盤開(kāi)口部；

電源，對(duì)上述下部電極賦予偏壓電力；

傳感器，檢測(cè)上述基板的伴隨著蝕刻的發(fā)光；

控制部，能夠切換堆積處理和蝕刻處理，上述堆積處理在含有第1氣體的等離子體的氣體環(huán)境中，使膜堆積到上述多個(gè)半導(dǎo)體層之間的切割區(qū)域及在上述焊盤開(kāi)口部露出的上述金屬電極上，上述蝕刻處理在含有第2氣體的等離子體的氣體環(huán)境中對(duì)上述下部電極賦予第1偏壓電力，將上述膜蝕刻，當(dāng)在上述蝕刻處理中通過(guò)上述傳感器檢測(cè)到上述基板的蝕刻時(shí)，使上述第1偏壓電力下降到第2偏壓電力。

12.如權(quán)利要求11所述的等離子切割裝置，其特征在于，

上述第2偏壓電力被賦予給上述下部電極時(shí)的對(duì)上述晶片的入射離子的能量，比將上述金屬電極濺蝕的能量低。

13.如權(quán)利要求11所述的等離子切割裝置，其特征在于，

上述控制部將上述堆積處理和上述蝕刻處理交替地多次切換。

14.如權(quán)利要求11所述的等離子切割裝置，其特征在于，

上述焊盤開(kāi)口部的縱橫比小于上述切割區(qū)域的縱橫比。

15.如權(quán)利要求11所述的等離子切割裝置，其特征在于，

上述基板是硅基板。

16.如權(quán)利要求11所述的等離子切割裝置，其特征在于，

上述鈍化膜含有聚酰亞胺。

17.如權(quán)利要求11所述的等離子切割裝置，其特征在于，

上述鈍化膜含有氧化硅。

18.如權(quán)利要求11所述的等離子切割裝置，其特征在于，

上述金屬電極含有鋁。