[發(fā)明專利]一種鍺材料表面穩(wěn)定鈍化的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410406487.3 | 申請日: | 2014-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN104157554A | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許寶建;蔡奇;金慶輝;趙建龍;葉林;狄增峰 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 潘振甦 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 材料 表面 穩(wěn)定 鈍化 方法 | ||
1.一種鍺材料表面穩(wěn)定鈍化的方法,其特征在于利用Ge與含長碳鏈硫醇,在特定條件下反應(yīng),通過調(diào)整反應(yīng)體系的成份和溫度,實現(xiàn)Ge表面氧化層與金屬離子的有效去除,獲得表面氯化的Ge片,然后浸泡到長碳鏈硫醇溶液中進(jìn)行鈍化處理,Ge表面自組裝上長碳鏈硫醇分子,實現(xiàn)Ge表面的穩(wěn)定鈍化保護(hù),所述的長碳鏈硫醇為CH3(CH2)nSH,n≥9。
2.按權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于n=11的十二硫醇,n=15的十六硫醇或n=17的十八硫醇。
3.按權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于具體步驟是:
步驟1:將Ge片分依次置于丙酮和乙醇溶液中進(jìn)行超聲清洗,以去除Ge片表面的有機(jī)污染物;
步驟2:依次采用去離子水和鹽酸溶液對Ge片進(jìn)行浸泡清洗,以去除Ge片表面殘留的氧化層與金屬離子;并用氮氣吹干得到表面氯化的Ge片;
步驟3:采用乙醇和水的混合液配制用于鈍化的硫醇溶液;
步驟4:在加熱條件下將步驟2浸泡清洗好的Ge片浸泡到步驟3配制的硫醇溶液中進(jìn)行鈍化處理,使得Ge表面自組裝上長碳鏈硫醇分子,從而獲得超穩(wěn)定的鈍化表面。
4.按權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于:
a)步驟1中所述Ge為晶向為(100)、(110)或(111)的Ge片,或者為絕緣層上生長的Ge;
b)超聲清洗時間為10-20min;
c)步驟2中所述的鹽酸溶液由質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為38.3%的分析純鹽酸用去離子水稀釋而成,該步驟中采用的鹽酸質(zhì)量百分?jǐn)?shù)在5~10%,而去離子水和鹽酸處理的時間為30min~2h;
d)步驟3中所述的配制硫醇溶液用到的溶劑為乙醇和水的混合液,其中水的含量體積百分比為10~50%,而硫醇的最終濃度為0.1~10mmol/L;
e)步驟4中鈍化反應(yīng)的體系需要密封以減少乙醇的揮發(fā),反應(yīng)的溫度范圍為60~80℃,鈍化時間為12~24h;
f)除步驟4中的鈍化反應(yīng)需要在60~80℃特定加熱條件下進(jìn)行外,其他處理均在25℃室溫下完成。
5.按權(quán)利要求3或4所述的方法,其特征在于鈍化的長碳鏈硫醇的濃度為0.1mM/L、1mM/L或10mM/L。
6.按權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于用振蕩器混合試劑,直到混合試劑中白色懸濁物消失。
7.按權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于步驟3配置硫醇溶液時乙醇和誰的混合液中乙醇和水的體積之比為1:1。
8.按權(quán)利要求1或3所述的方法,其特征在于制備的鈍化Ge在大氣環(huán)境下能至少15天維持穩(wěn)定,在水相高濕度條件下穩(wěn)定時超過10天;所述高濕度條件指80℃,含水量50%。
9.按權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于正十二硫醇鈍化處理的鈍化Ge材料接觸角大于100°。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





