[發明專利]鰭式場效晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201410406287.8
• 申請日: 2014-08-18
• 公開（公告）號: CN105244380A
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發明（設計）人: 吳彥良;童宇誠;李鎮全;呂水煙
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種鰭式場效晶體管(FinFET)，包括：

基板，具有一上表面和至少一凹陷鰭部(recessedfin)自該上表面向上延伸；

絕緣物(insulation)，形成于該基板的該上表面上，該絕緣物包括：

外側部(lateralportion)鄰近該凹陷鰭部；和

中央部(centralportion)鄰接該外側部，且該外側部的一上表面高于該中央部的一上表面；

其中，該凹陷鰭部的一上表面低于該中央部的該上表面。

2.如權利要求1所述的鰭式場效晶體管，其中該外側部的該上表面實質上平行于該基板的該上表面，該中央部的該上表面實質上呈一凹形剖面(concavecross-section)。

3.如權利要求1所述的鰭式場效晶體管，其中該基板包括具有多個該凹陷鰭部的一第一區域(firstarea)和具有多個第二鰭部的一第二區域(secondarea)，該絕緣物用以分隔該些凹陷鰭部和該些第二鰭部。

4.如權利要求3所述的鰭式場效晶體管，其中該絕緣物至少包括多個第一絕緣區域(firstinsulatingregions)分別形成于該第一區域中相鄰的該些凹陷鰭部之間，

其中該些第一絕緣區域之一的該外側部的該上表面高于所述第一絕緣區域的該中央部的該上表面，而該些凹陷鰭部的該些上表面低于所述第一絕緣區域的該中央部的該上表面。

5.如權利要求4所述的鰭式場效晶體管，還包括形成于該些第一絕緣區域的該些外側部上的間隔物(spacers)，其中該些間隔物的一高度不大于5nm。

6.如權利要求4所述的鰭式場效晶體管，其中該絕緣物還包括多個第二絕緣區域(secondinsulatingregions)分別形成于該第二區域中相鄰的該些第二鰭部之間，

其中該些第二絕緣區域的一上表面實質上平行于該基板的該上表面，且高于所述第一絕緣區域的該中央部的該上表面。

7.如權利要求3所述的鰭式場效晶體管，還包括多個外延層(Epilayers)形成于該些凹陷鰭部處，其中相鄰的該些凹陷鰭部上的該些外延層在空間上為相隔開來。

8.如權利要求3所述的鰭式場效晶體管，其中該第一區域還包括多個第一突出鰭部(firstprotrudingfins)自該基板的該上表面向上延伸，且該些凹陷鰭部的一間距(pitch)小于該些第一突出鰭部的一間距。

9.如權利要求1所述的鰭式場效晶體管，其中該凹陷鰭部具有一平坦上表面(flattopsurface)實質上平行于該基板的該上表面。

10.如權利要求1所述的鰭式場效晶體管，其中該凹陷鰭部有具一V形剖面的一上表面，且該凹陷鰭部的一最高點低于該絕緣物的該中央部的該上表面。

11.如權利要求1所述的鰭式場效晶體管，其中該基板包括：

第一元件區域，具有至少該凹陷鰭部；以及

第二元件區域，具有多個第二凹陷鰭部，且所述第二凹陷鰭部的一上表面高于該絕緣物的該中央部的該上表面。

12.如權利要求11所述的鰭式場效晶體管，其中該第一元件區域還包括間隔物(spacers)形成于該絕緣物上，而該第二元件區域沒有間隔物。

13.如權利要求11所述的鰭式場效晶體管，其中該第二元件區域還包括間隔物(spacers)形成于該絕緣物上，而該第一元件區域沒有間隔物。

14.如權利要求1所述的鰭式場效晶體管，其中該基板包括第一元件區域與第二元件區域，該第一元件區域還包括間隔物(spacers)形成于該絕緣物上，而該第二元件區域沒有間隔物。

15.如權利要求1所述的鰭式場效晶體管，其中該基板包括第一元件區域與第二元件區域，該第二元件區域還包括間隔物(spacers)形成于該絕緣物上，而該第一元件區域沒有間隔物。