[發明專利]工藝室、制備工藝室的方法和操作工藝室的方法

有效

• 申請號: 201410406169.7
• 申請日: 2014-08-18
• 公開（公告）號: CN105304465B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 林毓超;張銘慶;黃淵圣;陳瑞銘;陳昭成
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

本發明公開了工藝室以及制備和操作工藝室的方法。在一些實施例中，制備用于處理襯底的工藝室的方法包括：在工藝室的腔內設置的元件上方形成第一阻擋層，元件包括排氣材料；以及在工藝室內，在第一阻擋層上方形成第二阻擋層。本發明還涉及工藝室、制備工藝室的方法和操作工藝室的方法。

技術領域

本發明涉及工藝室、制備工藝室的方法和操作工藝室的方法。

背景技術

工藝室通常用于半導體處理。例如，可將襯底放置在工藝室內，并且隨后對襯底進行各種半導體處理步驟，諸如沉積、蝕刻、圖案化和退火。

隨著將半導體器件按比例縮小到65nm以下的臨界尺寸，對于從一個襯底到下一個襯底的實現恒定的蝕刻速率、沉積速率、蝕刻深度、臨界尺寸、蝕刻輪廓、和金屬柵極電阻而言，嚴格控制工藝室內的條件是重要的。

發明內容

為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種制備用于處理襯底的工藝室的方法，所述方法包括：在所述工藝室的腔內設置的元件上方形成第一阻擋層，所述元件包括排氣材料；以及在所述工藝室內，在所述第一阻擋層上方形成第二阻擋層。

在上述方法中，其中，所述第一阻擋層包括硅，并且其中，形成所述第一阻擋層包括：使含硅第一工藝氣體流入所述工藝室內；以及通過對所述工藝室的電極施加第一射頻功率來由所述含硅第一工藝氣體生成第一等離子體。

在上述方法中，其中，所述第一阻擋層包括硅，并且其中，形成所述第一阻擋層包括：使含硅第一工藝氣體流入所述工藝室內；以及通過對所述工藝室的電極施加第一射頻功率來由所述含硅第一工藝氣體生成第一等離子體；其中，所述含硅第一工藝氣體包括第一含硅氣體、惰性氣體和含氧氣體的氣體混合物。

在上述方法中，其中，所述第一阻擋層包括硅，并且其中，形成所述第一阻擋層包括：使含硅第一工藝氣體流入所述工藝室內；以及通過對所述工藝室的電極施加第一射頻功率來由所述含硅第一工藝氣體生成第一等離子體；其中，所述工藝室內的所述含硅第一工藝氣體的壓力在從約20毫托至約30毫托的范圍內。

在上述方法中，其中，所述第二阻擋層包括硼，并且其中，形成所述第二阻擋層包括：使含硼第二工藝氣體流入所述工藝室內；以及通過對所述工藝室的電極施加第二射頻功率來由所述含硼第二工藝氣體生成第二等離子體。

在上述方法中，其中，所述第二阻擋層包括硼，并且其中，形成所述第二阻擋層包括：使含硼第二工藝氣體流入所述工藝室內；以及通過對所述工藝室的電極施加第二射頻功率來由所述含硼第二工藝氣體生成第二等離子體；其中，所述含硼第二工藝氣體包括含硼氣體和含鹵素氣體的氣體混合物。

在上述方法中，其中，所述第二阻擋層包括硼，并且其中，形成所述第二阻擋層包括：使含硼第二工藝氣體流入所述工藝室內；以及通過對所述工藝室的電極施加第二射頻功率來由所述含硼第二工藝氣體生成第二等離子體；其中，所述含硼第二工藝氣體包括含硼氣體和含鹵素氣體的氣體混合物；其中，所述氣體混合物還包括含氧氣體或含氮氣體。

在上述方法中，其中，所述第二阻擋層包括硼，并且其中，形成所述第二阻擋層包括：使含硼第二工藝氣體流入所述工藝室內；以及通過對所述工藝室的電極施加第二射頻功率來由所述含硼第二工藝氣體生成第二等離子體；其中，所述工藝室內的所述含硼第二工藝氣體的壓力在從約2毫托至約10毫托的范圍內。

在上述方法中，其中，形成所述第一阻擋層包括：使所述元件的表面粗糙以形成粗糙的表面；以及在所述元件的粗糙的表面上方沉積所述第一阻擋層。

根據本發明的另一個方面，提供了一種制備用于處理襯底的工藝室的方法，所述方法包括：對在所述工藝室的腔內設置的含石英元件的表面進行處理以形成所述含石英元件的處理的表面；在所述含石英元件的處理的表面上方形成含硅第一阻擋層；以及在所述含硅第一阻擋層上方形成含硼第二阻擋層。