[發明專利]鰭狀場效晶體管元件及其制造方法

在審

• 申請號: 201410405794.X
• 申請日: 2014-08-18
• 公開（公告）號: CN105355658A
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發明（設計）人: 吳彥良;張仲甫;洪裕祥;傅思逸;沈文駿;呂曼綾;劉家榮;陳意維
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種鰭狀場效晶體管元件制造方法，其包括以下步驟：

提供一基材，該基材表面上具有一鰭狀結構；

在該基材上形成一氧化層；

移除部分該氧化層，用以露出部分的該鰭狀結構，同時形成至少一淺溝槽隔離結構；

在該鰭狀結構的露出部分兩側形成一對間隙壁；

移除部分該鰭狀結構用以于該對間隙壁間形成一凹槽，并同時移除部分未被間隙壁覆蓋的該淺溝槽隔離結構；

在該凹槽中形成一外延鰭狀結構；

移除該對間隙壁；以及

在該外延鰭狀結構上形成一柵極結構，使其延伸方向垂直于該外延鰭狀結構的延伸方向。

2.如權利要求1所述的鰭狀場效晶體管元件制造方法，其中移除部分未被該對間隙壁覆蓋的該淺溝槽隔離結構用以形成一凹陷部，同時形成一邊緣部被覆蓋于該對間隙壁之下，其中該邊緣部的一頂面高于該凹陷部的一頂面。

3.如權利要求2所述的鰭狀場效晶體管元件制造方法，其中該凹槽的一底面與該邊緣部的該頂面共平面。

4.如權利要求2所述的鰭狀場效晶體管元件制造方法，其中該凹槽的一底面高于該邊緣部的該頂面。

5.如權利要求2所述的鰭狀場效晶體管元件制造方法，其中該凹槽的一底面低于該邊緣部的該頂面。

6.如權利要求1所述的鰭狀場效晶體管元件制造方法，其中該外延鰭狀結構的一頂面與該對間隙壁的一頂部對齊。

7.如權利要求1所述的鰭狀場效晶體管元件制造方法，其中該外延鰭狀結構的一頂面高于該對間隙壁的一頂部。

8.如權利要求1所述的鰭狀場效晶體管元件制造方法，其中該外延鰭狀結構的一頂面低于該對間隙壁的一頂部。

9.如權利要求1所述的鰭狀場效晶體管元件制造方法，其中該外延鰭狀結構物理接觸該凹槽的一底面，且該外延鰭狀結構中含鍺的比例范圍為50％～100％。

10.如權利要求1所述的鰭狀場效晶體管元件制造方法，其還包含以下步驟：

移除部分未被該柵極結構覆蓋的該外延鰭狀結構，用以形成一移除區；以及

在該移除區中外延形成一源/漏極結構，該源/漏極結構的成分不同于該外延鰭狀結構。