[發(fā)明專(zhuān)利]一種含硅合金靶材及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410404505.4
• 申請(qǐng)日: 2014-08-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105331939A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張鳳戈;張路長(zhǎng);姚偉;繆磊;穆健剛;何向暉;郝權(quán);孫繼洲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 安泰科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/34
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/34;B22F3/02;B22F3/04
• 代理公司: 北京五洲洋和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11387
• 代理人: 劉春成;溫泉

1.一種含硅合金靶材的制備方法，其特征在于，所述含硅合金靶材按原子百分比由以下成分組成：硅大于0小于等于80％，其余為鉻；

所述含硅合金靶材的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、預(yù)合金粉末制備；所述預(yù)合金粉末的平均粒徑不大于50μm；

步驟二、對(duì)所述預(yù)合金粉末進(jìn)行冷等靜壓處理，得到冷等靜壓壓坯，并裝入包套內(nèi)；所述在冷等靜壓處理的壓力為20～196MPa，保壓時(shí)間為10～30min；

步驟三、對(duì)裝入所述冷等靜壓壓坯的包套進(jìn)行脫氣處理，得到脫氣后的錠坯；所述脫氣處理的溫度為300～450℃，脫氣時(shí)間為5～30h；

步驟四、對(duì)所述脫氣后的錠坯進(jìn)行熱等靜壓處理，得到壓制后的錠坯，再去除包套得到壓制后的坯料；所述熱等靜壓處理的保溫溫度為800～1080℃，時(shí)間2～5h，壓力為120～150MPa；

步驟五，對(duì)所述壓制后的坯料進(jìn)行機(jī)加工處理，得到所述含硅合金靶材。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅合金靶材的制備方法，其特征在于，所述含硅合金靶材按原子百分比由以下成分組成：鉻20～50％，硅50％～80％。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含硅合金靶材的制備方法，其特征在于，所述含硅合金靶材按原子百分比由以下成分組成：鉻20％，硅80％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅合金靶材的制備方法，其特征在于，所述含硅合金靶材的相對(duì)密度不低于99％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟一中，

通過(guò)機(jī)械合金化處理制備所述預(yù)合金粉末；所述機(jī)械合金化處理為將鉻粉和純硅粉或?qū)t粉和鉻硅合金粉于惰性氣體保護(hù)條件下在高能球磨機(jī)中混合4～24h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟一中，將鉻粉和鉻硅合金粉，于真空或高純氬氣保護(hù)條件下在V型混料機(jī)中混合3～10h。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟三中，所述脫氣處理時(shí)的真空度控制在10-1 Pa～10-4 Pa。