[發明專利]一種提高阱容量的圖像傳感器像素及其制作方法在審
| 申請號： | 201410403947.7 | 申請日： | 2014-08-15 |
| 公開（公告）號： | CN104143558A | 公開（公告）日： | 2014-11-12 |
| 發明（設計）人： | 郭同輝;曠章曲;陳多金;陳杰;劉志碧;唐冕 | 申請（專利權）人： | 北京思比科微電子技術股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260 | 代理人： | 鄭立明;趙鎮勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 容量 圖像傳感器 像素 及其 制作方法 | ||
1.一種提高阱容量的圖像傳感器像素，包括置于半導體基體中的光電二極管以及電荷傳輸晶體管，其特征在于，所述光電二極管的側面設置有晶體管電容，所述晶體管電容的柵極位于所述半導體基體內，所述晶體管電容的溝道位于所述光電二極管中。
2.根據權利要求1所述的提高阱容量的圖像傳感器像素，其特征在于，所述晶體管電容的柵極被相鄰的兩個像素的晶體管電容共用。
3.根據權利要求2所述的提高阱容量的圖像傳感器像素，其特征在于，所述晶體管電容的柵極多晶硅深度為0.2um～0.8um。
4.根據權利要求3所述的提高阱容量的圖像傳感器像素，其特征在于，所述晶體管電容的柵極多晶硅與所述光電二極管之間設置有氧化層，其厚度為4nm～15nm。
5.根據權利要求4所述的提高阱容量的圖像傳感器像素，其特征在于，所述晶體管電容的柵極多晶硅下端設置有隔離注入層，其深度不小于0.2um，其離子濃度不小于1E+18Atom/cm3，其離子類型與所述光電二極管類型相反。
6.根據權利要求5所述的提高阱容量的圖像傳感器像素，其特征在于，所述光電二極管種類包括N型光電二極管和P型光電二極管。
7.一種權利要求1至6任一項所述的提高阱容量的圖像傳感器像素的制作方法，其特征在于，包括步驟：
a.在緊鄰淺槽隔離制作工藝完畢后，淀積氮化硅保護層，其厚度為0.2um～0.3um，并在預定區域開口；
b.干法離子刻蝕，將步驟a中氮化硅開口區域的硅基體刻蝕掉，其深度為0.2um～0.8um；
c.在氧氣環境下，高溫加熱，使步驟b中裸露的硅表面氧化生成氧化層，其厚度為4nm～15nm；
d.離子注入，注入離子類型與光電二極管類型相反，其注入深度不小于0.2um，其注入區離子濃度不小于1E+18Atom/cm3；
e.淀積多晶硅，將硅缺口填平，至高出半導體硅表面；
f.化學機械研磨，將氮化硅表面上的多晶硅研磨去除；
g.干法離子刻蝕，將氮化硅保護層去除。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
