[發明專利]利用投影圖案化的具有嵌入式管芯的基板的制造及相關聯的封裝配置

有效

• 申請號: 201410403861.4
• 申請日: 2014-08-15
• 公開（公告）號: CN104377120B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: C·張;S·M·洛茨;I·A·薩拉瑪
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 何焜

技術領域

本公開的實施例一般涉及集成電路的領域，并且更具體地涉及用于利用投影圖案化制造集成電路組件中的具有嵌入式管芯的基板的技術和配置。

背景技術

為了克服多芯片封裝(MCP)中的邏輯到邏輯和/或邏輯到存儲器通信之間的帶寬限制，嵌入式橋管芯(bridge die)(諸如，硅橋(silicon bridges))已經作為工具來實現這種高密度管芯到管芯互連。從邏輯或存儲器管芯到封裝的封裝連接可利用到嵌入式橋接管芯的基于微通孔的互連。高帶寬存儲器(HBM)管芯和/或管芯堆疊(例如，55μm間距的電子設備工程聯合委員會(JEDEC)的標準)的更精細的間距推動了對用于CPU到存儲器管芯連接的最小受控塌陷芯片連接(C4)互連間距的嚴格的高密度互連(HDI)封裝基板設計規則要求。

目前，激光鉆孔可用于制造基于微通孔的互連。例如，激光鉆孔可利用電流鏡(Galvano mirrors)來將CO₂激光束定位到所需位置以執行微通孔鉆孔。然而，使用目前的技術來提供用于未來的計算設備的更細間距可能是有挑戰的。例如，目前的激光鉆孔技術可能仍不能實現55μm或以下的通孔間距。

附圖簡述

通過結合附圖的以下詳細描述將容易理解多個實施例。為了便于該描述，相同的附圖標記指示相同結構的元件。在附圖的多個圖中通過示例而非作為限制地說明多個實施例。

圖1示意性地示出了根據一些實施例的具有電子基板的示例集成電路(IC)組件的截面側視圖，其中，該電子基板具有嵌入式管芯。

圖2示意性地示出了根據一些實施例的用于制造具有嵌入式管芯的電子基板的激光投影圖案化系統的示例機器配置。

圖3示意性地示出了根據一些實施例的具有平行于圖2中的圖案掩模的平面的虛構切割平面的多個截面圖。

圖4示意性地示出了根據一些實施例的在制造具有嵌入式管芯的電子基板中使用投影圖案的封裝基板制造過程的流程圖。

圖5示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板制造過程的一些所選擇的操作的截面圖。

圖6延續圖5，示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板制造過程的一些所選擇的操作的截面圖。

圖7示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板制造過程的又一些所選擇的操作的截面圖。

圖8延續圖7，示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板制造過程的一些所選擇的操作的截面圖。

圖9示意性地示出了根據一些實施例的利用投影圖案化制造的一些所選擇微通孔的截面圖。

圖10示意性地示出了根據一些實施例的包括如本文所描述的嵌入式管芯的電子基板的計算設備。

詳細描述

本公開的實施例描述了用于在制造集成電路組件中的具有嵌入式管芯的電子基板中使用投影圖案化的技術和配置。例如，本文所描述的技術可用于制造包括高密度互連(HDI)路由的電子基板以利用嵌入式管芯(例如，橋)提供用于安裝在基板上的管芯之間的通信的更高的帶寬。在以下描述中，將使用本領域技術人員所通常使用的術語來描述示例性實現的各個方面，以向其他本領域技術人員傳達它們的工作的實質。然而，對本領域技術人員將顯而易見的是，僅采用所描述方面中的一些也可實施本公開的實施例。為了說明的目的，陳述具體的數字、材料和配置以提供對示例性實現的全面理解。然而，本領域技術人員將可理解，沒有這些特定細節也可實施本公開的實施例。在其他實例中，省略或簡化已知特征以不模糊示例性實現。

在以下詳細描述中，參照形成本說明書的一部分的附圖，其中在全部附圖中相同的標記指示相同的部件，并且在附圖中以可實施本發明的主題的示例實施例的方式顯示。將理解，可利用其它實施例，且可做出結構上或邏輯上的改變，而不偏離本公開的范圍。因此，以下詳細描述不應按照限制性意義來理解，且多個實施例的范圍由所附權利要求及其等價方案來限定。

為了本公開的目的，短語“A和/或B”表示(A)、(B)或(A和B)。為了本公開的目的，短語“A、B和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。

說明書可使用基于視角的描述，諸如頂部/底部、內/外、上/下等等。這種描述僅用于便于討論并且不旨在將本文所描述的實施例的應用限制在任何特定方向。