[發(fā)明專利]末端射程損傷的檢測以及修復方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410403765.X
• 申請日: 2014-08-15
• 公開（公告）號: CN104201126A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發(fā)明（設計）人: 邱裕明;肖天金;余德欽
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種末端射程損傷的檢測方法，其特征在于，包括：

提供基底；

對所述基底注入離子并退火；

對所述基底注入氣態(tài)元素；

通過分析所述氣態(tài)元素在所述基底內(nèi)的分布情況，檢測在所述基底中是否存在末端射程損傷。

2.如權(quán)利要求1所述的末端射程損傷的檢測方法，其特征在于，分析所述氣態(tài)元素在所述基底內(nèi)的分布情況的方式是二次離子質(zhì)譜分析。

3.如權(quán)利要求2所述的末端射程損傷的檢測方法，其特征在于，所述二次離子質(zhì)譜分析的方法是：得出所述氣態(tài)元素在所述基底上各深度的分布圖，當所述分布圖上存在所述氣態(tài)元素的峰值時，判斷在所述基底中存在末端射程損傷。

4.如權(quán)利要求1所述的末端射程損傷的檢測方法，其特征在于，在所述基底上具有源區(qū)和漏區(qū)，所述氣態(tài)元素注入至所述源區(qū)和所述漏區(qū)內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的末端射程損傷的檢測方法，其特征在于，所述氣態(tài)元素為氟。

6.如權(quán)利要求1所述的末端射程損傷的檢測方法，其特征在于，所述氣態(tài)元素注入的能量為10Kev-30Kev。

7.如權(quán)利要求1所述的末端射程損傷的檢測方法，其特征在于，所述氣態(tài)元素注入的劑量為1E15-5E15。

8.一種末端射程損傷的修復方法，其特征在于，包括：

提供基底；

以一初始條件對所述基底注入離子并退火；

對所述基底注入氣態(tài)元素；

通過分析所述氣態(tài)元素在所述基底內(nèi)的分布情況，檢測在所述基底中是否存在末端射程損傷；

當所述基底中存在末端射程損傷時，在所述初始條件的基礎上調(diào)整所述離子注入和退火的條件。

9.如權(quán)利要求8所述的末端射程損傷的修復方法，其特征在于，對所述基底注入的離子包含摻雜離子和非摻雜離子，調(diào)整所述離子注入和退火條件的方法是增加所述非摻雜離子的注入。

10.如權(quán)利要求8所述的末端射程損傷的修復方法，其特征在于，調(diào)整所述離子注入和退火的條件的方法是增加退火時間。