[發明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201410403208.8 | 申請日: | 2014-08-15 |
| 公開(公告)號: | CN104570524B | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 金炫佑;樸鍾賢;鄭圣勛 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 顧晉偉,董文國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
柵極線和數據線,所述數據線與所述柵極線交叉以在基板上限定像素區域;
薄膜晶體管(TFT),所述TFT形成在所述像素區域中并且包括柵電極、半導體層、源電極和漏電極;
第一保護層,所述第一保護層形成在所述TFT上,所述第一保護層構造為使得存在有穿過所述第一保護層的第一孔;
第二保護層,所述第二保護層形成在所述第一保護層上,并且構造為使得存在有穿過所述第二保護層的第二孔,其中穿過所述第二保護層的所述第二孔在所述第一保護層和所述第二保護層彼此接觸的平面處的尺寸不同于穿過所述第一保護層的所述第一孔在所述第一保護層和所述第二保護層彼此接觸的所述平面處的尺寸;
像素電極,所述像素電極形成在所述第二保護層上并且至少部分地填充所述第一孔和所述第二孔,所述像素電極穿過所述第一孔和所述第二孔連接至所述漏電極;
形成在所述像素電極上的第三保護層;
形成在所述第三保護層上的感測線;
形成在所述感測線上的第四保護層;以及
公共電極,所述公共電極形成在所述第四保護層上并且連接至所述感測線,
其中所述感測線交疊所述數據線并且包括突出到所述TFT的接觸部,并且通過所述接觸部連接至所述公共電極,
其中所述接觸部接觸所述第三保護層和所述第四保護層。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中在所述第一保護層和所述第二保護層彼此接觸的所述平面處,所述第一孔的尺寸小于所述第二孔的尺寸,并且其中所述像素電極接觸所述第二保護層的側面以及所述第一保護層的頂部和側面。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中在所述第一保護層和所述第二保護層彼此接觸的所述平面處,所述第一孔的尺寸大于所述第二孔的尺寸,并且其中所述像素電極接觸所述第二保護層的側面而不接觸所述第一保護層。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括:
多個附加感測線;和
多個附加公共電極,
其中所述多個附加感測線按照一對一的對應關系連接至所述多個附加公共電極。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括:
連接至所述柵極線的一端的柵極焊盤;
連接到所述數據線的一端的數據焊盤;
柵極焊盤電極,所述柵極焊盤電極形成在所述第四保護層上并且連接至所述柵極焊盤;以及
數據焊盤電極,所述數據焊盤電極形成在所述第四保護層上并且連接至所述數據焊盤,
其中所述柵極焊盤電極和所述數據焊盤電極由與所述公共電極相同的材料形成。
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