[發(fā)明專利]一種SiC晶須的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410401688.4 | 申請日： | 2014-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN104328478A | 公開（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張銳;范冰冰;邵剛;郭曉琴;解亞軍;宋勃震;管可可;吳昊;張亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 鄭州航空工業(yè)管理學(xué)院 |
| 主分類號： | C30B1/10 | 分類號： | C30B1/10;C30B29/36;C30B29/62 |
| 代理公司： | 鄭州睿信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛愛周 |
| 地址： | 450000 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 sic 制備 方法 | ||
1.一種SiC晶須的制備方法，其特征在于：包括下列步驟：
1)取碳源和硅源制成前驅(qū)體；
2)將步驟1)所得前驅(qū)體壓制成片后，埋入石英砂中，進行微波燒結(jié)合成反應(yīng)，即得。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶須的制備方法，其特征在于：步驟1)中，按照碳與硅的摩爾比為3～7.5:1的比例，將碳源和硅源制成前驅(qū)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的SiC晶須的制備方法，其特征在于：步驟1)中，將碳源和硅源制成前驅(qū)體的方法為：將硅源通過溶膠凝膠法制成無定型二氧化硅，與碳源直接混合制成前驅(qū)體；或者，將碳源和硅源通過溶膠凝膠法制備成無定型二氧化硅包裹碳源的前驅(qū)體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SiC晶須的制備方法，其特征在于：所述碳源為煤；所述硅源為硅酸酯。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SiC晶須的制備方法，其特征在于：將碳源和硅源通過溶膠凝膠法制備成無定型二氧化硅包裹碳源的前驅(qū)體，包括下列步驟：
a)取硅酸酯、乙醇與水混合，調(diào)節(jié)pH為3～4，攪拌，得混合物A；
b)向混合物A中加入碳源，攪拌，調(diào)節(jié)pH為8～9，得混合物B；
c)將混合物B過濾，取濾餅，干燥，即得二氧化硅包裹碳源前驅(qū)體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的SiC晶須的制備方法，其特征在于：步驟a)中，硅酸酯、乙醇與水的體積比為23:35:50。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的SiC晶須的制備方法，其特征在于：步驟a)中，采用檸檬酸調(diào)節(jié)pH為3～4；步驟b)中，采用氨水調(diào)節(jié)pH為8～9。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶須的制備方法，其特征在于：步驟2)中，所述壓制的壓力為4～200MPa。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶須的制備方法，其特征在于：步驟2)中，所述石英砂置于氧化鋁坩堝中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶須的制備方法，其特征在于：步驟2)中，所述微波燒結(jié)合成反應(yīng)是采用微波燒結(jié)的方式，先以5～20℃/min的速率升溫至580～620℃，調(diào)節(jié)輸入功率，再以20～200℃/min的速率升溫至1000～1700℃，保溫5～120min。
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