[發明專利]半導體基片表面鈍化層的形成方法

在審

• 申請號: 201410401524.1
• 申請日: 2014-08-14
• 公開（公告）號: CN105336577A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發明（設計）人: 溫子瑛
• 申請（專利權）人: 無錫華瑛微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 章陸一

1.一種半導體基片表面鈍化層的形成方法，用于對剛出爐的半導體基片進行鈍化處理，其特征是，包括以下步驟：

(1)將出爐的半導體基片裝入微處理腔；

(2)密閉微處理腔；

(3)直接向微處理腔內通入臭氧氣體2-10min；

(4)打開微處理腔，取出半導體基片。

2.一種半導體基片表面鈍化層的形成方法，用于對有自然氧化層的半導體基片進行鈍化處理，其特征是，包括以下步驟：

(1)將半導體基片裝入微處理腔；

(2)密閉微處理腔；

(3)向微處理腔內通入含HF的氣體或液體；

(4)向微處理腔內通入超純水；

(5)干燥微處理腔；

(6)向微處理腔內通入臭氧氣體2-10min；

(7)打開微處理腔，取出半導體基片。

3.一種半導體基片表面鈍化層的形成方法，用于對有自然氧化層的半導體基片進行鈍化處理，其特征是，包括以下步驟：

(1)將半導體基片裝入微處理腔；

(2)密閉微處理腔；

(3)向微處理腔內通入含HF的氣體或液體；

(4)向微處理腔內通入臭氧水2-10min，所述臭氧水是利用氣流混合裝置將臭氧和水混合而制得；

(5)干燥微處理腔；

(6)打開微處理腔，取出半導體基片。