[發明專利]陣列基板及制備方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 201410400960.7
• 申請日: 2014-08-15
• 公開（公告）號: CN104218041A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 龍春平;王祖強
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管以及導電電極，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層，其特征在于，所述源極和所述漏極同層設置于所述有源層兩端、且所述源極和所述漏極直接與所述有源層上方至少部分接觸；所述導電電極直接設置于所述漏極的上方。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設置于所述源極和所述漏極與所述柵極之間，其中：

所述源極和所述漏極設置于所述有源層兩端的上方，所述柵極絕緣層設置于所述源極和所述漏極的上方，所述柵極設置于所述柵極絕緣層的上方；所述柵極與所述有源層的投影至少部分重疊，所述源極和所述漏極與所述柵極的投影至少部分重疊；

或者，所述柵極絕緣層設置于所述柵極的上方，所述有源層設置于所述柵極絕緣層的上方，所述源極和所述漏極設置于所述有源層兩端的上方；所述柵極與所述有源層的投影至少部分重疊，所述源極和所述漏極與所述柵極的投影至少部分重疊。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括鈍化層，所述導電電極設置于所述漏極遠離所述有源層的上方，所述鈍化層至少局部覆蓋于所述導電電極的上方、且完全覆蓋所述漏極靠近所述有源層對應的區域以及所述源極、所述有源層對應的區域；

當所述柵極絕緣層設置于所述源極和所述漏極的上方時，所述鈍化層和所述柵極絕緣層對應著未覆蓋所述導電電極的區域形成像素開口；或者，當所述柵極絕緣層設置于所述源極和所述漏極的下方時，所述鈍化層對應著未覆蓋所述導電電極的區域形成像素開口。

4.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層采用低溫多晶硅材料形成。

5.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極、所述源極和所述漏極采用相同的材料形成，所述柵極、所述源極和所述漏極為采用鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦和銅中的任一種形成的單層結構，或為采用鉬/鋁/鉬、鈦/鋁/鈦形成子層得到的疊層結構，所述柵極、所述源極和所述漏極的厚度范圍為200-500nm；

所述導電電極采用透明的金屬氧化物形成，金屬氧化物包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化錫鋁中的任一種，厚度范圍為20-100nm；或為采用氧化銦錫/銀/氧化銦錫、氧化銦鋅/銀形成子層得到的疊層薄膜，氧化銦錫的厚度范圍為10-50nm，銀的厚度范圍為20-100nm。

6.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括交叉設置的柵線和數據線，所述柵線與所述柵極連接，所述柵線與所述柵極同層設置、且采用相同的材料形成；所述數據線與所述源極連接，所述數據線與所述源極同層設置、且采用相同的材料形成。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-6任一項所述的陣列基板。

8.一種陣列基板的制備方法，包括形成薄膜晶體管和導電電極的步驟，形成所述薄膜晶體管包括形成柵極、源極、漏極和有源層的步驟，其特征在于，所述源極、所述漏極和所述導電電極采用同一構圖工藝形成，所述源極、所述漏極直接形成于所述有源層兩端、且所述源極和所述漏極直接與所述有源層上方至少部分接觸，所述導電電極直接設置于所述漏極的上方。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，形成包括所述源極、所述漏極和所述導電電極的圖形的步驟具體包括：

步驟S11)：在所述有源層的上方依次連續形成源漏金屬薄膜、導電薄膜和光刻膠；

步驟S12)：采用雙色調掩模工藝對所述光刻膠進行曝光、顯影，其中，雙色調掩模工藝采用的掩模板中，對應著形成所述源極和所述漏極未被所述導電電極覆蓋的區域為部分透光區，對應著形成所述導電電極的區域為不透光區；

步驟S13)：通過刻蝕工藝去除未被所述光刻膠保護的所述導電薄膜和所述源漏金屬薄膜，形成包括所述源極和所述漏極的圖形；

步驟S14)：通過灰化工藝去除部分透光區對應的所述光刻膠，通過刻蝕工藝去除未被所述光刻膠保護的所述導電薄膜，形成包括所述導電電極的圖形。