[發明專利]用于垂直磁記錄寫入器的梯度寫入間隙

有效

• 申請號: 201410400273.5
• 申請日: 2014-08-14
• 公開（公告）號: CN104376851B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: L·曾;D·韓;Z·白;L·王
• 申請（專利權）人: 西部數據（弗里蒙特）公司
• 主分類號: G11B5/187
• 分類號: G11B5/187
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種磁寫入器極，其包括：

由非磁性層形成的第一斜面，所述第一斜面處于第一角度并且延伸到第一喉部高度；

由所述非磁性層形成的第二斜面，所述第二斜面以大于所述第一角度的第二角度從所述第一斜面向遠端延伸并且延伸到第二喉部高度；以及

由所述非磁性層形成的第三斜面，所述第三斜面以大于所述第二角度的第三角度從所述第二斜面向遠端延伸，其中寫入間隙層具有所述第一斜面，并且梯度寫入間隙層具有所述第二斜面和所述第三斜面。

2.根據權利要求1所述的磁寫入器極，其中所述第一角度在10與40度之間，所述第二角度在11與60度之間，以及所述第三角度在12與90度之間。

3.根據權利要求2所述的磁寫入器極，其中所述第一角度在20與40度之間，所述第二角度在30與60度之間，以及所述第三角度在50與90度之間。

4.根據權利要求1所述的磁寫入器極，其中所述第一喉部高度比所述第二喉部高度短。

5.根據權利要求4所述的磁寫入器極，其中所述第二斜面使用離子銑削來形成。

6.一種用于形成磁記錄極的方法，其包括：

沉積寫入間隙層；

沉積梯度寫入間隙層，所述寫入間隙層和所述梯度寫入間隙層彼此連通以形成寫入間隙；以及

使所述梯度寫入間隙層成形，以使由所述寫入間隙層和所述梯度寫入間隙層形成的所述寫入間隙在第一端部上比在第二端部上更窄；

沉積非磁性間隔物，其中所述非磁性間隔物包括非磁性材料，并且其中在沉積所述非磁性間隔物之前沉積所述寫入間隙層，

其中所述寫入間隙經配置以與所述第一端部上的空氣軸承表面和所述第二端部上的所述非磁性間隔物相互作用。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述非磁性間隔物在所述梯度寫入間隙層沉積之前沉積，所述非磁性間隔物沉積在所述寫入間隙層上，并且所述梯度寫入間隙層沉積在所述寫入間隙層以及所述非磁性間隔物上。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述非磁性間隔物在所述梯度寫入間隙層沉積之后沉積，并且所述非磁性間隔物沉積在所述梯度寫入間隙層上。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述非磁性間隔物在所述寫入間隙層沉積之前沉積，并且所述寫入間隙層沉積在所述非磁性間隔物上。

10.根據權利要求6所述的方法，其中所述非磁性間隔物包括Ru或Al₂O₃中的至少一個。

11.根據權利要求6所述的方法，其中所述寫入間隙層使用原子層沉積來沉積。

12.根據權利要求6所述的方法，其中沉積所述寫入間隙層進一步包括將寫入間隙停止層沉積在所述寫入間隙層上，其中所述寫入間隙停止層保護所述寫入間隙層。

13.根據權利要求6所述的方法，其中所述梯度寫入間隙使用快速ALD來沉積。

14.根據權利要求6所述的方法，其中所述梯度寫入間隙包括非磁性材料。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述梯度寫入間隙包括Ru或Al₂O₃中的至少一個。