[發(fā)明專利]溝渠式肖特基二極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410400117.9
• 申請日: 2014-08-14
• 公開（公告）號: CN105449006A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 葉昇平
• 申請（專利權）人: 強茂股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/47
• 代理公司: 北京泰吉知識產(chǎn)權代理有限公司 11355
• 代理人: 張雅軍

1.一種溝渠式肖特基二極管，包含：一個基板、一個位于該基板上的n型的磊晶層、一個連接該基板的第一電極，以及一個第二電極，該磊晶層包括一個朝向該基板的第一面、一個相反于該第一面的第二面，以及數(shù)個自該第二面朝向該第一面凹設的溝槽，其特征在于：該溝渠式肖特基二極管還包含一個金屬層以及數(shù)個氧化層，該金屬層包括數(shù)個分別位于所述溝槽的金屬填槽部，該金屬層的材料功函數(shù)大于或等于4.8電子伏特；所述氧化層分別位于所述溝槽并且分別位于每一個金屬填槽部與該磊晶層之間；該第二電極位于該磊晶層的第二面上且覆蓋該金屬層。

2.如權利要求1所述的溝渠式肖特基二極管，其特征在于：該金屬層的材料為鎳、鉑、鎢、金、銀、釩、鉬或上述材料的任一組合，該磊晶層為n型多晶硅，該基板為n型的硅基板，且該基板的載子濃度大于該磊晶層的載子濃度。

3.如權利要求2所述的溝渠式肖特基二極管，其特征在于：該金屬層還包括數(shù)個分別位于該磊晶層的第二面上且分別連接于所述金屬填槽部間的金屬連接部。

4.如權利要求1所述的溝渠式肖特基二極管，其特征在于：該第二電極與該金屬層的材料相同。

5.如權利要求1所述的溝渠式肖特基二極管，其特征在于：該金屬層的材料功函數(shù)為4.8～5.1電子伏特。

6.如權利要求5所述的溝渠式肖特基二極管，其特征在于：所述氧化層的厚度為1500～3000埃，該磊晶層的阻抗值為0.8～5.0歐姆。

7.如權利要求6所述的溝渠式肖特基二極管，其特征在于：所述溝槽的深度為1.5～3.0微米，寬度為0.3～1.0微米。

8.如權利要求1至7中任一權利要求所述的溝渠式肖特基二極管，其特征在于：該溝渠式肖特基二極管的崩潰電壓大于或等于60伏特。

9.如權利要求8所述的溝渠式肖特基二極管，其特征在于：該溝渠式肖特基二極管的崩潰電壓大于或等于100伏特。

10.如權利要求1所述的溝渠式肖特基二極管，其特征在于：該溝渠式肖特基二極管的崩潰電壓大于或等于100伏特，該金屬層的材料功函數(shù)為4.9～5.1電子伏特。