[發明專利]切斷裝置及切斷方法有效
| 申請號: | 201410398906.3 | 申請日: | 2014-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN104465358B | 公開(公告)日: | 2017-09-08 |
| 發明(設計)人: | 片岡昌一;山本雅之 | 申請(專利權)人: | 東和株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司11018 | 代理人: | 齊葵,周艷玲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切斷 裝置 方法 | ||
1.一種切斷裝置,包括:
運送機構,運送被切斷物;
載物臺,供放置所述被切斷物;
對位機構,通過進行對位,對所述載物臺上放置的所述被切斷物所具有的切斷線的位置進行設定;
切斷機構,使用旋轉刃沿所述切斷線切斷所述被切斷物;和
噴射機構,對所述旋轉刃與所述被切斷物所抵接的被加工點噴射規定溫度的切削水,
所述切斷裝置的特征在于,包括:
第一冷卻機構,設置在所述運送機構或所述載物臺中的至少一個中且用于冷卻所述被切斷物,
通過所述第一冷卻機構,所述被切斷物冷卻至所述規定溫度而收縮,
通過所述對位機構設定被冷卻至所述規定溫度的所述被切斷物上的所述切斷線的位置,
在所述被切斷物通過由所述第一冷卻機構所進行的冷卻而收縮的狀態下,沿著由所述對位機構對位后的所述被切斷物的所述切斷線,使用所述旋轉刃進行切斷。
2.根據權利要求1所述的切斷裝置,其特征在于,
設置有多個所述載物臺,
在切斷多個所述載物臺中的一個所述載物臺上放置的所述被切斷物期間,冷卻通過所述運送機構運送的所述被切斷物,或冷卻剩余的所述載物臺上放置的所述被切斷物。
3.根據權利要求2所述的切斷裝置,其特征在于,
通過在所述運送機構或所述載物臺中的至少一個上設置的通道中流動的冷卻用介質而冷卻所述被切斷物。
4.根據權利要求2所述的切斷裝置,其特征在于,
通過對在所述運送機構或所述載物臺中的至少一個上放置的所述被切斷物吹噴冷卻用介質而冷卻所述被切斷物。
5.根據權利要求2所述的切斷裝置,其特征在于,
所述第一冷卻機構具有珀爾帖元件。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的切斷裝置,其特征在于,
包括在交付給所述運送機構之前冷卻所述被切斷物的第二冷卻機構。
7.根據權利要求1所述的切斷裝置,其特征在于,
所述被切斷物為使用硬化樹脂對電路板上安裝的電子部件的芯片進行樹脂封裝后的封裝基板。
8.根據權利要求1所述的切斷裝置,其特征在于,
所述被切斷物為內含電路的半導體晶片。
9.一種切斷方法,包括:
將被切斷物交付給運送機構的工序;
使用所述運送機構將所述被切斷物運送至載物臺的工序;
將所述被切斷物放置在所述載物臺上的工序;
通過進行對位,對所述載物臺上放置的所述被切斷物所具有的切斷線的位置進行設定的工序;
使用旋轉刃且沿所述切斷線對所述載物臺上放置的所述被切斷物進行切斷的工序;和
對所述被切斷物和所述旋轉刃所抵接的被加工點噴射規定溫度的切削水的工序,
所述切斷方法的特征在于,包括:
在所述進行設定的工序之前的期間的至少一部分期間中,直至所述規定溫度為止對所述被切斷物進行冷卻使之收縮的工序,
在所述進行設定的工序中,將被冷卻至所述規定溫度的所述被切斷物作為對象來設定所述切斷線的位置,
在所述進行切斷的工序中,在所述被切斷物通過所述對所述被切斷物進行冷卻使之收縮的工序而收縮的狀態下,沿著通過所述進行設定的工序對位后的所述被切斷物的所述切斷線,使用所述旋轉刃進行切斷。
10.根據權利要求9所述的切斷方法,其特征在于,
設置有多個所述載物臺,
在所述進行切斷的工序中,切斷在多個所述載物臺中的一個所述載物臺上放置的所述被切斷物,
在所述進行冷卻的工序中,在切斷放置在一個所述載物臺上的所述被切斷物期間,冷卻與進行切斷的所述被切斷物不同的其他所述被切斷物。
11.根據權利要求10所述的切斷方法,其特征在于,
在所述進行冷卻的工序中,通過使冷卻用介質在所述運送機構或所述載物臺中的至少一個上設置的通道中流動而冷卻所述被切斷物。
12.根據權利要求10所述的切斷方法,其特征在于,
在所述進行冷卻的工序中,通過對所述運送機構或所述載物臺中的至少一個上放置的所述被切斷物吹噴冷卻用介質而冷卻所述被切斷物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





